中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/51918
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    题名: Broadband and Low-Loss 1:9 Transmission-Line Transformer in 0.18-mu m CMOS Process
    作者: Chiou,HK;Liao,HY
    贡献者: 電機工程學系
    关键词: DISTRIBUTED ACTIVE-TRANSFORMER;POWER-AMPLIFIER;DESIGN
    日期: 2010
    上传时间: 2012-03-28 10:10:24 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學
    摘要: This letter proposes a transmission-line transformer (TLT) with high impedance-transformation ratio of 1 : 9 for wideband power amplifier design. The 1 : 9 TLT is realized with broadside-coupled and multiple-metal stacked transmission lines and achieves a broadband impedance transformation from 5.0 +/- 0.1 Omega optimal load impedance of the power cell to 50-Omega load with a bandwidth of 4.4 to 6.6 GHz, which covers the required bandwidth of the IEEE 802.11a WLAN application. The measured minimum insertion loss is 1.07 dB at 5.8 GHz with a 3-dB bandwidth of 164%. This 1 : 9 TLT is fabricated in standard 0.18-mu m CMOS process with a chip area of 426 mu m x 589 mu m including the test pad.
    關聯: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
    显示于类别:[電機工程學系] 期刊論文

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