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    題名: 以單一非週期性晶疇極化反轉鈮酸鋰電光晶片達成可調變多波長之窄頻光參量產生/振盪器之研究;Electro-optic spectral narrowing and manipulation in a PPLN/APPLN optical parametric oscillator
    作者: 鍾宏彬;Chung,Hung-pin
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 多工窄頻;極化反轉;非週期性結構;鈮酸鋰;光參量產生/震盪器;電光;spectral narrowing and manipulation;Poling;APPLN;OPO;LiNbO3;Electro-optic
    日期: 2012-08-24
    上傳時間: 2012-09-11 18:40:37 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學
    摘要: 先前研究者利用鈮酸鋰晶體之電光調制機制,改變傳播光的偏振,配合設計滿足特定相位匹配條件的週期性結構,製作一電光偏振濾波器,並用以窄化並調制週期性結構光參量產生/振盪器之寬輸出訊號光波譜,而成功製作出可由外加電場調制其輸出波譜的光參量產生/振盪晶片(第一代)。雖然利用非週期性結構之電光偏振濾波器(第二代),可以簡化先前雙段週期性式電光偏振制濾波器,但其調制輸出波譜僅限於特定晶片,若要在單一晶片上輸出不同的調制波譜(例如:單波輸出、雙波輸出或三波輸出等)則需要使晶片系統穩定在特定的調制溫度及特定的調制電壓,而使得實際使用上相當困難。 為了改善這個問題,本論文首先改良第二代晶片,利用串接的方式,將多段特定電光濾波器與週期性光參量振盪器結合,使之藉由不同電光濾波器的開/關,以達成在單一晶片上輸出不同調制波譜(方案一、方案二)。但由於此兩代晶片依舊分為電光調制段與光參量產生段,為了產生特定相位匹配條件,我們必頇要分段溫控,因此,各段的溫控條件,將會決定此光參量振盪晶片輸出訊號光波譜的品質。 因此,在研究後期,我們利用非週期性結構能同時滿足多種相位匹配條件的特性,配合自我調制結構演算法,將電光調制過程與光參量產生過程,整合於單一非週期性晶疇反轉鈮酸鋰晶片中(方案三),此代晶片有著不頇分段溫控的優點,並由於電場施加在整體晶片上,使整體晶片都具有電光濾波的功能,而大幅減低了電光濾波時所需要的電壓。 最後,我們利用改良之自我調制法,設計出以串接兩片第五代晶片的方式,在不需要分段溫控的條件下,利用分段電控的方式,達成單一晶片得以輸出不同的訊號波譜(方案四)。Using electro-optical (EO) PPLN/APLN polarization mode converter to narrow and modulate the OPO bandwidth has been published (1st generation, 2nd generation). Because the problems of segmented temperature and electric field control, it is hard to modulate when tuning the output spectrum with different conditions.To solve this problem, we first use two or three stages cascaded EO APPLN to tune the output spectrum by switching the voltage of the EO sections at a fixed system temperature (3rd generation, 4th generation). Next, we use the self-adjustment method to design a single APPLN to accomplish the simultaneously electro-optical polarization mode filtering and OPG/OPO (5th generation).Because all range of the chips have the function of electro-optical polarization mode filtering, it significantly reduce the modulation voltage of the electro-optical filtering. The final part of this thesis is to provide a solution of the problem of spectrum tuning by using cascaded two simultaneously EO polarization mode filter and OPG/OPO APPLN (6th generation). The chips of 6th generation are designed by an improved self-adjustment method to avoid the initial phase shift problems of signal resulted from segmented AOS structure design.
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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