水平式布氏法單晶生長之熱質流與界面形狀三維數值模擬及可視化研究(I);Three-Dimensional Simulation and Flow Visualization of Horizontal Bridgman Crystal Growth (I)

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題名:	水平式布氏法單晶生長之熱質流與界面形狀三維數值模擬及可視化研究(I);Three-Dimensional Simulation and Flow Visualization of Horizontal Bridgman Crystal Growth (I)
作者:	藍崇文
貢獻者:	中央大學化學工程與材料工程系
關鍵詞:	化學工程類;水平式布氏法;單晶生長;流場可視化;三維動態模擬;有限體積計算法;Horizontal bridgman method;Crystal growth;Flow visualization;Three-dimension simulation;Finite volume method
日期:	1998-09-01
上傳時間:	2012-10-01 11:13:38 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	高品質的單晶基質在光電元件的操作性能上扮演重要的角色，如何以較低的成本生產這些高品質的單晶，是提高光電科技競爭力的必要條件。布氏法是生長II-VI及III-V族半導體單晶最普遍的方法之一，由於其生長技術及操作成本遠較柴氏拉晶法來的簡單、低廉，因此，廣受中小型科技產業的歡迎。而布氏法又可分為垂直式及水平式兩種，其中水平式單晶生長，由於晶體取出容易，且受坩鍋影響所產生之缺陷較少，因而應用上更為普遍。然而，由於水平式單晶生長時之流動及熱傳型態遠較垂直式來得複雜，因此，如何有效控制其熱、質流，更是單晶品質控制上的關鍵技術，但是關於這方面的所究卻十分稀少。在本計劃中，吾人將以晶體生長實驗，流場、溫度場的可視化與高韌性之三維熱、質流模式來研究這個製程。在晶體生長方面，將嘗試以透明的有機物（例如Succinonitrile）及無機物（例如硝酸鈉）作為晶體生長材料，同時，藉由預先置入熱變色之液晶微膠囊，觀察晶體生長時之流場、溫度場及界面形狀。在三維動態模擬方面，將發展高韌性之三維速度壓力法之多重網格有限體積的計算方法，來模擬並瞭解單晶生長之動態行為，並與實驗作比較驗證。 ; 研究期間 8608 ~ 8707
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

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