光阻覆蓋機之研發---子計畫三：光阻覆蓋機之光阻液均勻度特性分析(III)

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題名:	光阻覆蓋機之研發---子計畫三：光阻覆蓋機之光阻液均勻度特性分析(III)
作者:	吳俊諆
貢獻者:	中央大學機械工程學系
關鍵詞:	電子電機工程類;化學類;薄膜;光阻;均勻性;積體電路;黏性;Thin film;Photoresist;Uniformity;Integrated circuit;Viscosity
日期:	1998-09-01
上傳時間:	2012-10-01 11:28:28 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	在生產積體電路中的前段製程中的光罩成相的製程，決定晶片上電路佈線曝光及顯影品質的優劣。本子計劃是針對光罩成相製程中的光阻覆蓋磯的光阻薄膜均勻度控制的研發。光阻液(photoresist，PR) 分佈在晶圓表面上形成一薄膜 (厚度約為2．5 至 0．5 微米) ，必須控制其厚度及均勻度，以期維持後續的積體電路製程的品質。PR 的厚度與 PR 溶液黏度及濃度，以及晶圓轉速及加速度這四個參數有關，另外光阻液噴嘴噴灑的位置亦可能影響 PR 厚度。我們將以實驗量測配合數值模擬，以獲得 PR 均勻度影響參數數據，做為設計光阻覆蓋機之 PR厚度/均勻度控制程序。 ; 研究期間 8608 ~ 8707
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[機械工程學系] 研究計畫

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