應用偏壓輔強高週波電漿技術在低溫下合成鑽石薄膜;Synthesis of Diamond Film at Low Temperature Using Biased-Enhanced RF-Plasma Technology

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題名:	應用偏壓輔強高週波電漿技術在低溫下合成鑽石薄膜;Synthesis of Diamond Film at Low Temperature Using Biased-Enhanced RF-Plasma Technology
作者:	陳培麗
貢獻者:	中央大學光電科學研究所
關鍵詞:	材料科技;鑽石薄膜;高週波電漿;高週波偏壓輔強;Diamond film;rf-plasma;rf-bias-enhanced
日期:	1993-09-01
上傳時間:	2012-10-01 14:59:25 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本計畫擬以自行設計組裝的高週波偏壓輔強電漿輔助化學氣相沈積設備,在低壓下(.sim. 10/sup -3/ torr)及低溫下(室溫.sim. 300□)生長鑽石薄膜.該系統基本設計為高週波(13.56MHz)電感耦合管狀反應腔之設備,再加上高週波(13.56MHz)電容耦合的平行石墨電極以造成偏壓的效果.基板採用矽單晶片及石英片,將放置在石墨電極板上,石墨電極板後並配置有加熱電阻絲,可加溫至300□.第一年擬探討氧氣對鑽石薄膜成長速率及沈積溫度的影響, 是故原料擬選用CH/sub 4//O/sub 2//Ne或CH/sub4//H/sub 2/ /O/sub 2//Ne兩類混合氣體.第二年擬採用其他含氧的有機物質(如:乙醇或乙酸),以求更進一步降低鑽石薄膜的沈積溫度.因此,本計畫之重點在於探討藉著偏壓輔強之技術及氧離子在電漿中去除石墨的特性,以求在較低溫度之下成長品質較好的鑽石薄膜. ; 研究期間 8202 ~ 8301
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究所] 研究計畫

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