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    Title: 應用偏壓輔強高週波電漿技術在低溫下合成鑽石薄膜;Synthesis of Diamond Film at Low Temperature Using Biased-Enhanced RF-Plasma Technology
    Authors: 陳培麗
    Contributors: 中央大學光電科學研究所
    Keywords: 材料科技;鑽石薄膜;高週波電漿;高週波偏壓輔強;Diamond film;rf-plasma;rf-bias-enhanced
    Date: 1993-09-01
    Issue Date: 2012-10-01 14:59:25 (UTC+8)
    Publisher: 行政院國家科學委員會
    Abstract: 本計畫擬以自行設計組裝的高週波偏壓輔強電 漿輔助化學氣相沈積設備,在低壓下(.sim. 10/sup -3/ torr)及低溫下(室溫.sim. 300□)生長鑽石薄膜.該系 統基本設計為高週波(13.56MHz)電感耦合管狀反應 腔之設備,再加上高週波(13.56MHz)電容耦合的平行 石墨電極以造成偏壓的效果.基板採用矽單晶片 及石英片,將放置在石墨電極板上,石墨電極板後 並配置有加熱電阻絲,可加溫至300□.第一年擬探 討氧氣對鑽石薄膜成長速率及沈積溫度的影響, 是故原料擬選用CH/sub 4//O/sub 2//Ne或CH/sub4//H/sub 2/ /O/sub 2//Ne兩類混合氣體.第二年擬採用其他含氧 的有機物質(如:乙醇或乙酸),以求更進一步降低 鑽石薄膜的沈積溫度.因此,本計畫之重點在於探 討藉著偏壓輔強之技術及氧離子在電漿中去除石 墨的特性,以求在較低溫度之下成長品質較好的 鑽石薄膜. ; 研究期間 8202 ~ 8301
    Relation: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 研究計畫

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