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    Title: 0.98微米砷化鎵銦/砷化鎵/磷化鎵銦/應力層疊量子井雷射二極體之研製;Epitaxial Growth and Fabrication of 0.98.mu.m InGaAs/GaAs/InGaP Strained-Layer Quantum Well Laser
    Authors: 李清庭
    Contributors: 中央大學光電科學研究所
    Keywords: 光電工程;摻鉺光纖放大器;應力量子井雷射;低壓有機金屬氣相磊晶;砷化鎵銦;雷射二極體;Erbium-doped fiber amplifiers;Strained-layer quantum well laser;Low-pressuremetal-organic vaper epitaxy;Aluminum gallium arsenide;Laser diode
    Date: 1995-09-01
    Issue Date: 2012-10-01 14:59:37 (UTC+8)
    Publisher: 行政院國家科學委員會
    Abstract: 由於摻鉺光纖光放大器具有高增益、低雜 訊、偏振無關等放大特性,所以在長距離光纖 通信上的應用價值日趨重要.摻鉺光纖的泵激 波長可以是沒有激態吸收的0.98微米或1.48微米, 以0.98微米砷化鎵銦/砷化鎵雷射做泵激光源的 主要原因是它具有高泵激效率、低雜訊和對溫 度較不敏感等優點.最近在砷化鎵銦/砷化鎵應 力量子井雷射的發展相當快速,利用磷化鎵銦 取代砷化鋁鎵作為覆蓋層預期在製造過程中與 雷射操作時,可以免除由於鋁的氧化而造成的 元件退化等問題.本計畫的目的即以低壓有機 金屬氣相磊晶技術成長波長0.98微米之砷化鎵 銦/砷化鎵/磷化鎵銦應力量子井半導體雷射材料,並研製成脊狀波導結構,以提昇國內在光纖 通訊元件的研究基礎與製作能力. ; 研究期間 8308 ~ 8407
    Relation: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 研究計畫

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