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    題名: 聚-3-烷基塞吩衍生物的室溫去摻雜及二次摻雜性質探討
    作者: 張育圖;Yu-Tu Cheng
    貢獻者: 化學研究所
    關鍵詞: 聚-3-烷基塞吩;一次摻雜;二次摻雜
    日期: 2001-07-23
    上傳時間: 2009-09-22 10:08:49 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 自從聚3-烷基塞吩在1985年被合成出來後,學者更研究各種不同的合成方法,期待得到完全以Head to Tail(在2、5連接位置上)方式連接的聚-3-烷基塞吩,簡稱為regioregular poly-3-alkylthiophene。一般認為有機導電高分子的導電度與主鏈的共平面性有關,當塞吩環完全以Head to Tail的方式連接時,高分子主鏈的共平面性最好,導電度最高。此外本實驗室先前對regiorandom poly-3-alkylthiophene作性質探討時,發現其有室溫去摻雜現象,而且當通一溶劑蒸氣至導電聚烷基塞吩時會對其造成去摻雜或二次摻雜反應,這些現象與高分子結構也有很大的關係。本研究合成一系列聚烷基塞吩衍生物,包括regioregular poly-3-alkylthiophene、poly-3-octylthiophene-thiophene-3-octylthiophene(POTTOT)、poly-thiophene-3-octylthiophene-thiophene(PTOTT)、poly-octylthiophene-thiophene(POTT)及塞吩及烷基塞吩的共聚物(copolymer),並藉由探討這些衍生物的室溫自動去摻雜及二次摻雜現象來了解影響聚烷基塞吩穩定性的原因,以期更進一步了解導電高分子結構與性質的關係。實驗發現溶液態聚-3-烷基塞吩的主鏈共軛長度,與其側鏈基的長短沒有直關係,但是側鏈基的密度愈低、規則性卻會使高分子主鏈的共平面性增加,同時高分子共軛長度亦變長;而在薄膜時的高分子主鏈堆疊緊密程度會隨著主鏈上側鏈基密度及側鏈基的規則度增加而變得更緊密;由螢光光譜圖中可發現側鏈基的規則性越高,電子由激發態到基態時會因高分子堆疊較緊密導致能量容易以其他形式流失,同時聚-3-烷基塞吩的螢光量子產率便降低。在室溫去摻雜的實驗部分,發現當聚-3-烷基塞吩薄膜在一次摻雜後會因主鏈被撐得較開而增加去摻雜的速率,而側鏈基較長會有較多的熱擾動產生,也會導致去摻雜速率加快;此外在二次摻雜的實驗部分,側鏈基密度愈高會有較明顯的二次摻雜或去摻雜反應,當二次摻雜子的極性較高時會有去摻雜的情形發生,反之,則較易造成二次摻雜。
    顯示於類別:[化學研究所] 博碩士論文

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