English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 64745/64745 (100%)
造訪人次 : 20516127      線上人數 : 362
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6347


    題名: 可溶性有機薄膜電晶體材料 雙?吩?與二胺對酚之衍生物的開發;Soluble ADT and diamine-terphenyl derivatives for OTFT material
    作者: 黃鵬毅;Peng-Yi Huang
    貢獻者: 化學研究所
    關鍵詞: 有機薄膜電晶體;雙噻吩蒽;二胺對酚;anthradithiophene;terphenyl;OTFT
    日期: 2007-07-10
    上傳時間: 2009-09-22 10:18:00 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本篇論文主要的研究重點在於合成出兩種系統之新的可溶性有機半導體材料,第一種系統是以anthradithiophene (ADT)為架構,合成出5,11-dithien-2-ylanthradithiophene (DTADT)、5,11-bis(5-carbaldehydethien-2-yl)anthradithiophene (BATADT)、以及5,11-bis(5-carbaldbutylaminothien-2-yl)anthradithiophene (BBTADT) 共三種有機半導體材料。第二種系統是以p-terphenyl diamine (TDA)為架構,合成出了N,N’-bis[(5-butyl-2-thienyl)methylene]-p-terphenyl diamine (BTTDA)、N,N’-bis[(5-triethylsilyl-2-thienyl)methylene]-p-terphenyl diamine (TES-TTDA)兩種有機半導體材料。BATADT擁有拉電子的醛基在中間的噻吩上,如此可增強整個分子結構的穩定性,目前所得其載子移動率為2.1x10-5 cm2/Vs,開關電流比約為104,起始電壓為-31V,為一P型半導體材料。 所有五種半導體材料元件製作的部分,由西北大學Tobin J. Marks實驗室協助製作,以上所合成出的可溶性有機半導體目前使用溶劑製程與真空蒸鍍的方法來製作元件當中。目前這些新的OTFT材料的元件製備條件仍在嘗試階段,希望能找出最適合的製程條件,以期提昇載子移動率並製作出元件效能更佳的有機薄膜電晶體。 Two new soluble organic semiconductor material systems were investigated. The first system is based on anthradithiophene (ADT), three new organic semiconductor materials: 5,11-dithien-2-ylanthradithiophene (DTADT), 5,11-bis(5-carbaldehydethien-2-yl)anthradithiophene (BATADT), and 5,11-bis(5-carbaldbutylaminothien-2-yl)anthradithiophene (BBTADT) were synthesized. The second system is based on p-terphenyl diamine (TDA), two new organic semiconductor materials: N,N’-bis[(5-butyl-2-thienyl)methylene]-p-terphenyl diamine (BTTDA), and N,N’-bis[(5-triethylsilyl-2-thienyl)methylene]-p-terphenyl diamine (TES-TTDA) were prepared. BATADT with an electron withdrawing aldehyde functional group on the central thiophene shows the stability enhancement and demonstrates a p-type character with current mobility of 2.1x10-5 cm2/Vs, on/off ratio ~ 104 and threshold voltage -31V. The devices fabrication of all the five materials are currently assisted by Tobin J. Marks group at Northwestern University, where the solution process and vacuum deposition will be examined. Hopefully, better mobilities and easier fabrication will be obtained in the future.
    顯示於類別:[化學研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數
    0KbUnknown604檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋  - 隱私權政策聲明