| 摘要: | 本篇論文的研究著重在高穩定度有機半導體材料的開發，因此在稠環結構中引入了拉電子基團，藉由carbonyl group與氟原子的摻雜提升材料的穩定度，而開發了DT-TT(1)、DB-TT(2)、DTT-TT(3)、DNp-TT(4)、DT-DTT(5)、DB-DTT(6)、DFB-DTT(7)、FBB-DTT(8)、DNp-DTT(9)、DHT-DTT(10)、DDBT-DTT(11)與DDHT-DTT(12)。另外在DTT結構中引入benzothiazole group，希望藉由thiazole拉電子與thiophene推電子的特性使分子排列的更加緊密而設計出DNS-DTT(13)。其中DB-DTT(6)的載子移動率為0.01 cm2/(V•s)，為一P-type材料。而結構中氟原子的引入使DFB-DTT(7)呈現N-type的性質，並且具有相當高的穩定度，載子移動率為0.001 cm2/(V•s)，此外元件在空氣下操作仍然具有場效性質。FBB-DTT(8)為一不對稱結構，藉由單晶結構可觀察到分子中氫原子與氟原子間的氫鍵作用力使分子排列的更加緊密，高規則度的排列有機會於未來的量測中呈現較好的電性表現，FBB-DTT(8)的電性在量測中。 This article focuses on the development of stable organic semiconductor materials. A new organic semiconductor material system was investigated. The new system is based on dithieno[3,2-b:2',3'-d]thio- phene (DTT) and thieno[3,2-b]thiophene (TT). Thirteen new organic semiconductor materials: DT-TT(1), DB-TT(2), DTT-TT(3), DNp-TT(4), DT-DTT(5), DB-DTT(6), DNp-DTT(7), DFB-DTT(8), FBB-DTT(9), DHT-DTT(10), DDBT-DTT(11), DDHT-DTT(12) and DNS-DTT(13) were synthesized. DB-DTT(6) is a P-type material and shows with current mobility of 0.01 cm2/(V•s), on/off ratio 107, and threshold voltage -67V. DFB-DTT(8) is a N-type material and shows with current mobility of 0.001 cm2/(V•s), on/off ratio 106, and threshold voltage 35V. The device fabrications of all the thriteen materials are currently assisted by Tobin J. Marks group at Northwestern University, where the vapor deposition will be examined. Hopefully, better mobility and easier fabrication will be obtained in the future. |
