有機薄膜電晶體材料三併環及四併環噻吩衍生物之開發

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题名:	有機薄膜電晶體材料三併環及四併環噻吩衍生物之開發
作者:	黃玉文;Yu-wen Huang
贡献者:	化學研究所
关键词:	四併環噻吩;三併環噻吩;有機薄膜電晶體材料;TTA;DTT;OTFT
日期:	2009-07-07
上传时间:	2009-09-22 10:20:26 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	我們以三併環噻吩(DTT)及四併環噻吩(TTA)為中心，開發出八個有機半導體分子。三併環噻吩系統包括DFP-DTT (1)、DTT-DTT (2)、DBT-DTT (3)、DBF-DTT (4)、DN-DTT (5)以及 FPP-DTT (6)，四併環噻吩系統包括DP-TTA (7)以及DFP-TTA (8)。元件製作的部分，由西北大學Tobin J. Marks 實驗室協助製作。電性的量測結果，不對稱三併環噻吩FPP-DTT (6) 為P 型半導體材料，其載子移動率可達0.2 cm2/Vs。DFP-DTT (1)在氟苯官能基的引入後，展現N 型半導體性質，載子移動率可達0.06 cm2/Vs。四併環噻吩DFP-TTA (8) 為N 型半導體材料，在此系列材料中表現出最佳的載子移動率，更高達0.3 cm2/Vs。這些併環的有機半導體材料，皆表現出不錯的熱穩定性及光穩定性。 Eight molecules based on DTT and TTA skeletons have been synthesized. DTT system contains DFP-DTT (1), DTT-DTT (2), DBT-DTT (3), DBF-DTT (4), DN-DTT (5), and FPP-DTT (6). TTA system contains DP-TTA (7) amd DFP-TTA (8). The device fabrications of all eight the materials are currently assisted by Tobin J. Marks group at Northwestern University. Asymmetric FPP-DTT (6), a P-type semiconductor, exhibits good field-effect performance with a high mobility of 0.2 cm2/Vs. DFP-DTT (1) exhibits N-type FET behavior with a mobility of 0.06 cm2/Vs. DFP-TTA (8), a N-type semiconductor material, exhibits excellent field-effect performance with a mobility as high as 0.3 cm2/Vs. These organic semiconductor materials all show good stability under photo and thermal conditions.
显示于类别:	[化學研究所] 博碩士論文

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