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    Title: 砷化銦鎵的電性研究與平面型PIN光偵測器的製作;Electrical properties of InGaAs and the fabrication of AlInGaAs/InGaAs/InP laterial PIN photodetectors
    Authors: 周冠羽;K-Y Chou
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 離子佈植;閉管擴散;砷化銦鎵;平面型光偵測器
    Date: 2000-07-19
    Issue Date: 2009-09-22 10:23:44 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 我們將分子束磊晶方式(MBE)成長的砷化鋁銦鎵/砷化銦鎵/磷化銦 [In0.53(Ga0.7Al0.3)0.47As/In0.53Ga0.47As/InP]晶片,以鋅的閉管擴散方式,與離子佈植法摻雜Zn+與Si+形成p型區與n型區,製作平面型PIN光偵測器。 材料的特性方面,經過X-ray繞射(XRD),光激光譜(PL),及霍爾測試(Hall measurement)等量測獲得磊晶層之電特性與光特性如下:在300K時,晶格不匹配(Lattice mismatch)為332.4ppm,能隙為0.751eV,載子型別為n型,載子濃度為2 1015 /cm3,載子遷移率為3400cm2/v s。 在材料電性的研究方面。對於以離子佈植法摻雜Si+活化形成n+型半導體方面,我們已有不錯的實驗成果,將載子濃度由2 1015 /cm3提高到1 1018 /cm3以上。在摻雜Zn+轉變電性形成p+型半導體的方面,由Hall量測的結果,我們的實驗結果顯示,在面摻雜量為1 1014/cm2以上,以及8000C以上的活化溫度,比較容易成功將雜質活化。 在平面型PIN光偵測器的製作上,我們初步的嘗試也得到令人期待的結果。在逆偏壓10伏特時的暗電流,以擴散方式製作的元件有較小的暗電流,暗電流密度為1.12 10-3(A/cm2);而以離子佈植方式所製作的元件有較大的暗電流,暗電流密度為4.2 10-2(A/cm2)。而元件漏電流大小也與元件面積成正相關。
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

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