中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/6614
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    Title: 磷化銦鋁鎵/砷化鎵/砷化銦鎵對稱型平面摻雜場效電晶體研究;The Study of InAlGaP/GaAs/InGaAs dual delta-doped FET
    Authors: 林央正;Iang-Jeng Lin
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 磷化銦鋁鎵;平面摻雜;有機金屬氣相沉積;高頻;電晶體;雜訊;微波;砷化鎵;INALGAP;delta doped;MOCVD;high frequency;transistor;noise;microwave;GAAS
    Date: 2000-07-04
    Issue Date: 2009-09-22 10:24:01 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本論文係採用低壓有機金屬氣相沉積法成長平面摻雜之磷化銦鋁鎵/砷化鎵/砷化銦鎵假晶性場效電晶體;在通道層(In0.3Ga0.7As)上方及下方對稱處的成長平面摻雜之結構;並利用如此設計的目的是為了讓更多的電子能被導入通道層中,以觀察該元件結構是否能供應較大的電流密度;以此設計出一高功率的元件,外加光源對元件所造成的影響等,並觀察元件的互導值是否提昇,這些都是在論文中所要探討的。 在本論文中,首先我們藉由室溫(300K)霍爾量測來量得試片的面電荷密度值為3.36×10 12(cm-2)及電子移動率值為3200(cm2/V-s);低溫(77K)量測面電荷密度為2.76×1012(cm-2)及電子移動率值為6970(cm2/V-s),我們便利用半導體製程技術,來製作對稱型平面摻雜場效電晶體元件,並做直流特性的量測。 其次,藉由製程實驗,並利用傳輸線模型(TLM),經蒸鍍金鍺鎳?金後,發現溫度於365℃,時間為85秒,可得較佳的歐姆接觸特性,其特徵接觸電阻值為5X10-5(-cm2)。 元件的直流特性量測方面,我們從電流電壓(IDS-VDS)特性曲線中,發現元件在VDS=3.6V,VGS=0.5V時,可得到最大互導值為153mS/mm;而元件的夾止(pinch off)電壓為-2.5V;閘極到汲極的崩潰電壓大於-10V。 而且,我們以功率為0.1mW之0.6328、0.8230、1.324nm三種波長的雷射來對元件照光,並觀察元件特性改變。發現其最大互導值並無明顯改變,證明以磷化銦鋁鎵此高能隙材料當作蕭特基接觸層,使其元件在照光特性的量測上,對光源具有較低的敏感度。 最後,利用HP-8510C高頻量測系統,量測出功率增益截止頻率fmax為25GHz,功率增益截止頻率ft為6GHz,適用於現今通信系統中的功率電晶體之操作範圍。 我們並藉由微波電路模擬軟體(MDS)建立小訊號模型,以利於將來模擬微波積體電路設計之用。並且針對雜訊指數進行量測,發現元件在操作頻率為2GHz時,其最小雜訊指數(Fmin)為4.8dB,而相對應的伴隨增益功率(Ga)為12dB。 none
    Appears in Collections:[Graduate Institute of Optics and Photonics] Electronic Thesis & Dissertation

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