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    Title: 透明導電膜與氮化鎵接觸特性研究
    Authors: 唐邦泰;Jon Tang
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 透明導電膜;氮化鎵;銦錫氧化膜;氧化鋅;歐姆接觸;濺鍍;TCL;GaN;ITO;ZnO;ohmic;sputter
    Date: 2001-07-11
    Issue Date: 2009-09-22 10:24:02 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本論文以濺鍍機(Sputter)濺鍍透明導電膜,將銦錫氧化膜(ITO)與氧化鋅膜(ZnO)交錯濺鍍多層作為透明電極,並以此ITO/ZnO多層結構當作N型氮化鎵(n-GaN)與P型氮化鎵(p-GaN)傳輸線元件的電極,並研究透明導電膜與半導體間之接觸特性。 首先,以石英玻璃為基板,將薄膜濺鍍在石英上,並改變濺鍍參數(入射功率、氣壓與氧氣流量比例),研究薄膜的電學與光學的特性。在最佳濺鍍條件下,作出傳輸線模型元件後,以高溫爐通入氧氣、氮氣與氫氣三種氣體來做熱處理,研究不同的熱處理條件對於接觸特性的影響。 在實驗結果方面,以濺鍍機反應室氣壓10mtorr、入射功率250Watt、通入氬氣(Ar)20sccm,以ITO:ZnO厚度比例為5:1,交錯濺鍍20層之透明電極有較佳之導電性(面電阻ρS為34.8Ω/□、電阻率ρ為1.13×10-3Ω-cm)。以此條件製作出TLM元件的電極後,在氫氣環境下以500OC 熱處理5分鐘之熱處理條件,我們在N型氮化鎵的試片量測到歐姆接觸的特性(特徵電阻值ρC為3×10-4Ω-cm2),但對於P型氮化鎵則製作蕭特基二極體元件來求出位障高ΦB為0.781eV。 none
    Appears in Collections:[Graduate Institute of Optics and Photonics] Electronic Thesis & Dissertation

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