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    題名: P型氮化鎵歐姆接觸製作研究
    作者: 黃宏基;Hong-Ji Huang
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 氮化鎵;歐姆接觸;鎳/金電極;鎂離子佈植;GaN;ohmic contact;Ni/Au metallization;Mg ion implantation
    日期: 2000-06-30
    上傳時間: 2009-09-22 10:24:25 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本篇論文針對P型氮化鎵(P-type GaN)材料之歐姆接觸電極之製作,在製程上提出二種不同的方法來製作歐姆接觸,並研究其與傳統歐姆接觸電極製程之差異,在論文的第一部份中,比較在歐姆接觸電極合金化的熱處理過程中,金屬組合的熱穩定性;論文第二部份,則針對離子佈植技術之優點,設計將離子佈植技術應用於P型氮化鎵材料之歐姆接觸製程中,並比較佈植前後試片電特性上的改變。 在實驗結果方面,論文中以鎳/金(Ni/Au)金屬組合,厚度分別為100/300 nm條件下,在熱處理溫度850℃的氮氣環境下,加熱3分鐘後,可得到特徵接觸電阻值約為2.3x10E-4 Ω-cm2,持續加熱至60分鐘仍可維持特徵接觸電阻值約為5x10E-4 Ω-cm2,將此金屬組合蒸鍍於未作活化之P型氮化鎵材料上,發現於加熱20分鐘後可得線性之電流電壓特性,並於加熱30分鐘後可得特徵接觸電阻值約為4.8-5.3x10E-3 Ω-cm2,比較兩組試片之結果,可以發現在這樣製程中,活化步驟並非影響歐姆接觸特性之主要因素,因此,在歐姆接製觸的製程中,可以利用這樣的金屬組合取代P型氮化鎵材料需預先作活化的製程步驟。 有關離子佈植實驗,論文中以Mg離子在P型氮化鎵材料上,作高摻雜劑量的淺層佈植,使得氮化鎵材料表面晶格遭受嚴重破壞,進而在表面產生許表面能態(surface state),促使載子達到電流傳導的目的,經由離子佈之後的試片,在金屬電極蒸度完成並熱處理2分鐘後,電流電壓的量測呈現線性之特性,其特徵接觸電阻值約為3x10E-3 Ω-cm2,並且金屬電極在熱處理時間增加後之後,特徵接觸電阻值更可以降低到約4x10E-4 Ω-cm2。而未作離子佈植之試片電阻值僅為6x10E-3 Ω-cm2
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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