English
| 正體中文 |
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 78937/78937 (100%)
造訪人次 : 39181091 線上人數 : 492
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUIR
理學院
光電科學研究所
--博碩士論文
查詢小技巧:
您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
進階搜尋
主頁
‧
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUIR
‧
管理
NCU Institutional Repository
>
理學院
>
光電科學研究所
>
博碩士論文
>
Item 987654321/6630
資料載入中.....
書目資料匯出
Endnote RIS 格式資料匯出
Bibtex 格式資料匯出
引文資訊
資料載入中.....
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6630
題名:
P型氮化鎵歐姆接觸製作研究
作者:
黃宏基
;
Hong-Ji Huang
貢獻者:
光電科學研究所
關鍵詞:
氮化鎵
;
歐姆接觸
;
鎳/金電極
;
鎂離子佈植
;
GaN
;
ohmic contact
;
Ni/Au metallization
;
Mg ion implantation
日期:
2000-06-30
上傳時間:
2009-09-22 10:24:25 (UTC+8)
出版者:
國立中央大學圖書館
摘要:
本篇論文針對P型氮化鎵(P-type GaN)材料之歐姆接觸電極之製作,在製程上提出二種不同的方法來製作歐姆接觸,並研究其與傳統歐姆接觸電極製程之差異,在論文的第一部份中,比較在歐姆接觸電極合金化的熱處理過程中,金屬組合的熱穩定性;論文第二部份,則針對離子佈植技術之優點,設計將離子佈植技術應用於P型氮化鎵材料之歐姆接觸製程中,並比較佈植前後試片電特性上的改變。 在實驗結果方面,論文中以鎳/金(Ni/Au)金屬組合,厚度分別為100/300 nm條件下,在熱處理溫度850℃的氮氣環境下,加熱3分鐘後,可得到特徵接觸電阻值約為2.3x10E-4 Ω-cm2,持續加熱至60分鐘仍可維持特徵接觸電阻值約為5x10E-4 Ω-cm2,將此金屬組合蒸鍍於未作活化之P型氮化鎵材料上,發現於加熱20分鐘後可得線性之電流電壓特性,並於加熱30分鐘後可得特徵接觸電阻值約為4.8-5.3x10E-3 Ω-cm2,比較兩組試片之結果,可以發現在這樣製程中,活化步驟並非影響歐姆接觸特性之主要因素,因此,在歐姆接製觸的製程中,可以利用這樣的金屬組合取代P型氮化鎵材料需預先作活化的製程步驟。 有關離子佈植實驗,論文中以Mg離子在P型氮化鎵材料上,作高摻雜劑量的淺層佈植,使得氮化鎵材料表面晶格遭受嚴重破壞,進而在表面產生許表面能態(surface state),促使載子達到電流傳導的目的,經由離子佈之後的試片,在金屬電極蒸度完成並熱處理2分鐘後,電流電壓的量測呈現線性之特性,其特徵接觸電阻值約為3x10E-3 Ω-cm2,並且金屬電極在熱處理時間增加後之後,特徵接觸電阻值更可以降低到約4x10E-4 Ω-cm2。而未作離子佈植之試片電阻值僅為6x10E-3 Ω-cm2
顯示於類別:
[光電科學研究所] 博碩士論文
文件中的檔案:
檔案
大小
格式
瀏覽次數
在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
社群 sharing
::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 |
收藏本站
|
設為首頁
| 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
隱私權政策聲明