English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 78937/78937 (100%)
造訪人次 : 39181091      線上人數 : 492
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6630


    題名: P型氮化鎵歐姆接觸製作研究
    作者: 黃宏基;Hong-Ji Huang
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 氮化鎵;歐姆接觸;鎳/金電極;鎂離子佈植;GaN;ohmic contact;Ni/Au metallization;Mg ion implantation
    日期: 2000-06-30
    上傳時間: 2009-09-22 10:24:25 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本篇論文針對P型氮化鎵(P-type GaN)材料之歐姆接觸電極之製作,在製程上提出二種不同的方法來製作歐姆接觸,並研究其與傳統歐姆接觸電極製程之差異,在論文的第一部份中,比較在歐姆接觸電極合金化的熱處理過程中,金屬組合的熱穩定性;論文第二部份,則針對離子佈植技術之優點,設計將離子佈植技術應用於P型氮化鎵材料之歐姆接觸製程中,並比較佈植前後試片電特性上的改變。 在實驗結果方面,論文中以鎳/金(Ni/Au)金屬組合,厚度分別為100/300 nm條件下,在熱處理溫度850℃的氮氣環境下,加熱3分鐘後,可得到特徵接觸電阻值約為2.3x10E-4 Ω-cm2,持續加熱至60分鐘仍可維持特徵接觸電阻值約為5x10E-4 Ω-cm2,將此金屬組合蒸鍍於未作活化之P型氮化鎵材料上,發現於加熱20分鐘後可得線性之電流電壓特性,並於加熱30分鐘後可得特徵接觸電阻值約為4.8-5.3x10E-3 Ω-cm2,比較兩組試片之結果,可以發現在這樣製程中,活化步驟並非影響歐姆接觸特性之主要因素,因此,在歐姆接製觸的製程中,可以利用這樣的金屬組合取代P型氮化鎵材料需預先作活化的製程步驟。 有關離子佈植實驗,論文中以Mg離子在P型氮化鎵材料上,作高摻雜劑量的淺層佈植,使得氮化鎵材料表面晶格遭受嚴重破壞,進而在表面產生許表面能態(surface state),促使載子達到電流傳導的目的,經由離子佈之後的試片,在金屬電極蒸度完成並熱處理2分鐘後,電流電壓的量測呈現線性之特性,其特徵接觸電阻值約為3x10E-3 Ω-cm2,並且金屬電極在熱處理時間增加後之後,特徵接觸電阻值更可以降低到約4x10E-4 Ω-cm2。而未作離子佈植之試片電阻值僅為6x10E-3 Ω-cm2
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明