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    Title: 經表面處理氮化鎵之特性研究;Investigated the characteristics of the (NH4)2Sx-treated n-type GaN
    Authors: 林祐仲;Yow-Jon Lin
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 表面態;歐姆接觸;表面處理;特徵接觸電阻;蕭特基接觸;Schottky contact;ohmic contact;surface state;surface treatment;specific contact resistance
    Date: 2001-06-01
    Issue Date: 2009-09-22 10:24:43 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 在本次研究中,利用硫化銨 ((NH4) 2Sx) 溶液進行N型氮化鎵 (GaN) 表面處理,於蒸鍍鈦/鋁 (Ti/Al) 金屬後即形成特徵接觸電阻值5.0×10-5 Ω-cm2之歐姆接觸 (ohmic contact)。然後,再將它置於高溫爐在氮氣環境下,以300oC進行熱處理3分鐘即可獲得低的特徵接觸電阻值3.0×10-6 Ω-cm2 。另外,對於氮化鎵硫化處理效應更以各項實驗來加以驗證與推算,其包括:能夠完全去除氮化鎵表面原生氧化層,並且改善氮化鎵表面特性及提高表面載子濃度,以致於能夠形成非經熱處理之歐姆接觸、於氮化鎵表面形成鎵-硫(Ga-S) 鍵結防止表面再氧化、能夠減少表面態密度及表面複合速度和增加光子激發光光譜 (photoluminescence) 之強度、能獲得較好的蕭特基接觸 (Schottky contact) 特性。
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

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