English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 78728/78728 (100%)
造訪人次 : 33352063      線上人數 : 424
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6642


    題名: 經表面處理氮化鎵之特性研究;Investigated the characteristics of the (NH4)2Sx-treated n-type GaN
    作者: 林祐仲;Yow-Jon Lin
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 表面態;歐姆接觸;表面處理;特徵接觸電阻;蕭特基接觸;Schottky contact;ohmic contact;surface state;surface treatment;specific contact resistance
    日期: 2001-06-01
    上傳時間: 2009-09-22 10:24:43 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 在本次研究中,利用硫化銨 ((NH4) 2Sx) 溶液進行N型氮化鎵 (GaN) 表面處理,於蒸鍍鈦/鋁 (Ti/Al) 金屬後即形成特徵接觸電阻值5.0×10-5 Ω-cm2之歐姆接觸 (ohmic contact)。然後,再將它置於高溫爐在氮氣環境下,以300oC進行熱處理3分鐘即可獲得低的特徵接觸電阻值3.0×10-6 Ω-cm2 。另外,對於氮化鎵硫化處理效應更以各項實驗來加以驗證與推算,其包括:能夠完全去除氮化鎵表面原生氧化層,並且改善氮化鎵表面特性及提高表面載子濃度,以致於能夠形成非經熱處理之歐姆接觸、於氮化鎵表面形成鎵-硫(Ga-S) 鍵結防止表面再氧化、能夠減少表面態密度及表面複合速度和增加光子激發光光譜 (photoluminescence) 之強度、能獲得較好的蕭特基接觸 (Schottky contact) 特性。
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明