English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 66984/66984 (100%)
Visitors : 22922110      Online Users : 88
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6648


    Title: 銦鋅氧化膜基本特性及其與氮化鎵接觸應用之研究
    Authors: 羅丞曜;Chen-Yao Luo
    Contributors: 光電科學研究所
    Date: 2001-07-02
    Issue Date: 2009-09-22 10:24:52 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本論文針對近年來在學術界所提出的一種新的透明導電氧化物—銦 鋅氧化物(Indium-Zinc-Oxide,IZO)— 進行材料特性及實際應用的 研究。在文章中的第一部份進行了此材料的特性研究,從薄膜製備、 後續熱處理及量測分析做了一系列的探討,並且經由氧缺位( oxygen vacancy)對薄膜經各種處理前後的變化進行合理的解釋。在文章中 的第二部分我們嘗試的製作了不同用途的光電元件,並將IZO 薄膜應 用於其上與半導體材料— 氮化鎵(GaN)— 形成p-n 接面的結構。 首先以射頻(Radio Frequency,RF)濺鍍(sputtering)系統將IZO 材料濺鍍於石英玻璃(Corning 7059 glass)上,形成IZO 透明導電 薄膜,再經由適當的熱處理流程使該薄膜之特性達到所求。並且針對 不同的鍍膜條件及熱處理狀況,以四點探針(Four Point Probe)系統 量測其電學特性、以光譜系統量測其穿透特性、以原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscope,AFM)系統觀察其表面微觀結構特性、以 X 光單晶繞射(X-Ray Diffractometer,XRD)系統觀察其結晶特性、 以霍爾量測(Hall measurement)系統判斷其半導體基本參數,最後, 藉由薄膜材料中的氧缺位導電機制來合理並成功的解釋上述所有量 測及觀察到的現象。在這一部分的研究中,我們得到的最佳製程參數 為:以500 瓦射頻功率鍍膜,通入純氬氣流量40sccm,系統總壓力 為10mTorr,可以得到電阻率為4×10-4W-cm 的透明導電氧化物IZO 薄 膜。另外,藉由最佳條件:氫氣300℃三分鐘的熱處理,可使薄膜的 電阻率再下降約35.5﹪,而達到2.58×10-4W-cm 的等級;同時,我們 也能兼顧薄膜的穿透率在可見光波段維持平均而言80﹪以上的水準。 經由霍爾量測系統的結果顯示IZO 為一種n 型高濃度半導體材料,故 我們製作了IZO/n-GaN 結構以形成歐姆接觸(Ohmic contact);製作 IZO/p-GaN 結構以形成蕭特基接觸(Schottky contact),並且製作了 p-n 接面二極體(diode)及p-n 接面光檢測器(photodetector,PD) 來嘗試透明導電材料的應用。我們得到IZO/n-GaN 歐姆接觸之特徵接 觸電阻率(specific contact resistivity)為1.12×10-2W-cm2; IZO/p-GaN 之p-n 接面二極體特性為位障(barrier)高度0.46eV,理 想因數(ideality factor)為1.52,起始(turn-on)電壓為5V,而 崩潰(breakdown)電壓為20V;IZO/p-GaN 之p-n 接面光檢測器特性 為暗電流(dark current)10pA,光電流(photocurrent)1nA,量 子效率(quantum efficiency)為5.93﹪,響應度(responsivity) 為0.017W/A。 none
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File SizeFormat
    0KbUnknown1214View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback  - 隱私權政策聲明