English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 64745/64745 (100%)
造訪人次 : 20501667      線上人數 : 409
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6648


    題名: 銦鋅氧化膜基本特性及其與氮化鎵接觸應用之研究
    作者: 羅丞曜;Chen-Yao Luo
    貢獻者: 光電科學研究所
    日期: 2001-07-02
    上傳時間: 2009-09-22 10:24:52 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文針對近年來在學術界所提出的一種新的透明導電氧化物—銦 鋅氧化物(Indium-Zinc-Oxide,IZO)— 進行材料特性及實際應用的 研究。在文章中的第一部份進行了此材料的特性研究,從薄膜製備、 後續熱處理及量測分析做了一系列的探討,並且經由氧缺位( oxygen vacancy)對薄膜經各種處理前後的變化進行合理的解釋。在文章中 的第二部分我們嘗試的製作了不同用途的光電元件,並將IZO 薄膜應 用於其上與半導體材料— 氮化鎵(GaN)— 形成p-n 接面的結構。 首先以射頻(Radio Frequency,RF)濺鍍(sputtering)系統將IZO 材料濺鍍於石英玻璃(Corning 7059 glass)上,形成IZO 透明導電 薄膜,再經由適當的熱處理流程使該薄膜之特性達到所求。並且針對 不同的鍍膜條件及熱處理狀況,以四點探針(Four Point Probe)系統 量測其電學特性、以光譜系統量測其穿透特性、以原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscope,AFM)系統觀察其表面微觀結構特性、以 X 光單晶繞射(X-Ray Diffractometer,XRD)系統觀察其結晶特性、 以霍爾量測(Hall measurement)系統判斷其半導體基本參數,最後, 藉由薄膜材料中的氧缺位導電機制來合理並成功的解釋上述所有量 測及觀察到的現象。在這一部分的研究中,我們得到的最佳製程參數 為:以500 瓦射頻功率鍍膜,通入純氬氣流量40sccm,系統總壓力 為10mTorr,可以得到電阻率為4×10-4W-cm 的透明導電氧化物IZO 薄 膜。另外,藉由最佳條件:氫氣300℃三分鐘的熱處理,可使薄膜的 電阻率再下降約35.5﹪,而達到2.58×10-4W-cm 的等級;同時,我們 也能兼顧薄膜的穿透率在可見光波段維持平均而言80﹪以上的水準。 經由霍爾量測系統的結果顯示IZO 為一種n 型高濃度半導體材料,故 我們製作了IZO/n-GaN 結構以形成歐姆接觸(Ohmic contact);製作 IZO/p-GaN 結構以形成蕭特基接觸(Schottky contact),並且製作了 p-n 接面二極體(diode)及p-n 接面光檢測器(photodetector,PD) 來嘗試透明導電材料的應用。我們得到IZO/n-GaN 歐姆接觸之特徵接 觸電阻率(specific contact resistivity)為1.12×10-2W-cm2; IZO/p-GaN 之p-n 接面二極體特性為位障(barrier)高度0.46eV,理 想因數(ideality factor)為1.52,起始(turn-on)電壓為5V,而 崩潰(breakdown)電壓為20V;IZO/p-GaN 之p-n 接面光檢測器特性 為暗電流(dark current)10pA,光電流(photocurrent)1nA,量 子效率(quantum efficiency)為5.93﹪,響應度(responsivity) 為0.017W/A。 none
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數
    0KbUnknown1199檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋  - 隱私權政策聲明