English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41634346      線上人數 : 2660
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6650


    題名: 摻銠鈦酸鋇單晶的氧化還原與光折變性質
    作者: 黃佳琪;Jia-Qi Huang
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 摻銠鈦酸鋇單晶;氧化還原;光致吸收光譜;雙波混合;光致衰減;高溫導電率;電荷轉移;光折變
    日期: 2001-07-03
    上傳時間: 2009-09-22 10:24:55 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 我們使用一系列不同氣氛處理氧偏壓(as-grown、10-5 、10-10 、10-12 與10-14 )的摻銠鈦酸鋇單晶,探討在不同入射波長(442 、465 、514 、532 與633 )下的光學與光折變性質。同時嘗試由光致吸收光譜配合雙波混合,找出電荷轉移與入射光波長的關係。 最後為瞭解氧偏壓大小對材料導電率的影響為何,同時找出不同氧偏壓和Defect Chemistry之間的一些關聯性。我們將一摻銠鈦酸鋇晶體進行不同還原程度的高溫導電率之量測,所使用的溫度分別為800℃、900℃與1000℃。由實驗的結果發現不同溫度下, 對 ( :高溫導電率, :氧偏壓)的圖形趨勢皆為V字型,且n-type及p-type區域的斜率分別非常接近理論值的 和 。 none
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明