氮化鎵藍色發光二極體透明電極之製作與研究

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6681

Title:	氮化鎵藍色發光二極體透明電極之製作與研究
Authors:	馬景時;Jing-Sh Ma
Contributors:	光電科學研究所
Keywords:	氮化鎵;藍光;發光二極體;鎳;金;銦錫氧化膜;歐姆接觸;GaN;blue;LED;Ni;Au;ITO;ohmic
Date:	2001-07-07
Issue Date:	2009-09-22 10:25:42 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	在本篇論文中，我們利用電子槍蒸鍍機，蒸鍍非常薄的鎳/金雙層金屬電極在p型氮化鎵上，在不同的條件下做熱處理，完成歐姆接觸，實驗結果發現，當金屬厚度為25 Å/50 Å，在空氣環境下450oC熱處理，特徵接觸電阻值為8.2 ×10-4Ωcm2，利用氧化的方式，可以使鎳氧化成氧化鎳，有助於歐姆接觸的形成，且氧化鎳可提升穿透率，在470nm，穿透率可提升至73﹪。將上述薄膜應用在氮化鎵發光二極體上，在順向偏壓，電流為20mA時，Vf為3.45伏特，發光波長為470nm，半高寬為34nm，發光強度為0.65mW。由於薄金屬電極有遮光，及電流不易均勻擴散等缺點，因此我們也研究銦錫氧化膜與p型氮化鎵的接觸，但因為銦錫氧化膜為一n型半導體材料，不易形成歐姆接觸，所以我們亦嘗試加入薄金屬改善其接觸特性。 none
Appears in Collections:	[Graduate Institute of Optics and Photonics] Electronic Thesis & Dissertation

Files in This Item:

File	Size	Format

社群 sharing