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    題名: 以電漿輔助化學氣相沉積法室溫成長氧化鋅薄膜之研究
    作者: 蔡來福;Lai-fu Tsai
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 電漿輔助化學氣象沉積法;氧化鋅;薄膜;RFPECVD;thinfilm;ZnO
    日期: 2002-07-10
    上傳時間: 2009-09-22 10:26:07 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 摘要 本研究採用管狀高週波電感耦合式電漿輔助化學氣相沈積系統，以二乙基鋅及氧氣之混合氣體為原料，在玻璃基板上合成氧化鋅薄膜。研究著重於探討高週波輸入位置及能量、輸入氣體組成等參數對薄膜特性的影響。所得薄膜以探針測厚儀(á-step)測量厚度、傅氏紅外線光譜儀(FTIR Spectroscopy)作鍵結分析、X-光繞射儀作結晶性分析及 掃描式電子顯微鏡(SEM)作表面形態分析。 由實驗中可發現，輸入DEZ 原料60mTorr 時，加入適當的氧氣43∼47mTorr，高週波能量輸入5W時，成長出含電漿高分子的氧化鋅薄膜，其中電漿高分子成分為最低。輸入氧氣56mTorr 時、高週波能量8W時，可得到具(002) 面preferred orientation 的氧化鋅薄膜，本研究已初步完成氧化鋅薄膜的成長，但仍含有少量的電漿高分子的成 份。
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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