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--博碩士論文
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Item 987654321/6697
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http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6697
題名:
以電漿輔助化學氣相沉積法室溫成長氧化鋅薄膜之研究
作者:
蔡來福
;
Lai-fu Tsai
貢獻者:
光電科學研究所
關鍵詞:
電漿輔助化學氣象沉積法
;
氧化鋅
;
薄膜
;
RFPECVD
;
thinfilm
;
ZnO
日期:
2002-07-10
上傳時間:
2009-09-22 10:26:07 (UTC+8)
出版者:
國立中央大學圖書館
摘要:
摘要 本研究採用管狀高週波電感耦合式電漿輔助化學氣相沈積系統,以二乙基鋅及氧氣之混合氣體為原料,在玻璃基板上合成氧化鋅薄膜。研究著重於探討高週波輸入位置及能量、輸入氣體組成等參數對薄膜特性的影響。所得薄膜以探針測厚儀(á-step)測量厚度、傅氏紅外線光譜儀(FTIR Spectroscopy)作鍵結分析、X-光繞射儀作結晶性分析及 掃描式電子顯微鏡(SEM)作表面形態分析。 由實驗中可發現,輸入DEZ 原料60mTorr 時,加入適當的氧氣43∼47mTorr,高週波能量輸入5W時,成長出含電漿高分子的氧化鋅薄膜,其中電漿高分子成分為最低。輸入氧氣56mTorr 時、高週波能量8W時,可得到具(002) 面preferred orientation 的氧化鋅薄膜,本研究已初步完成氧化鋅薄膜的成長,但仍含有少量的電漿高分子的成 份。
顯示於類別:
[光電科學研究所] 博碩士論文
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