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    題名: 低溫製作大晶粒複晶矽薄膜之研究;Fabrication of Poly-Silicon Thin Films at Low Temperature by PECVD
    作者: 彭智宏;Zhi-Hong Peng
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 化學氣相沉積法;多晶矽薄膜;低溫;low temperature;poly-silicon thin films;PECVD
    日期: 2002-07-10
    上傳時間: 2009-09-22 10:26:22 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本實驗採用自行設計組裝的高週波偏壓輔強射頻感應耦合電漿輔助化學氣相沉積系統,用矽烷/氫氣/氬氣等氣體為原料,在玻璃基板及矽基板上於低溫(<50 ℃)合成矽薄膜,研究不同參數對薄膜的影響及沉積矽薄膜的最佳參數。所得之矽薄膜以探針測厚儀量測薄膜厚度、傅立葉轉換紅外光光譜儀分析薄膜的鍵結結構、掃描式電子顯微鏡來觀察薄膜表面形態及結晶尺寸、拉曼光譜儀測量薄膜的鍵結狀態、 X光繞射分析儀分析薄膜的結晶結構及其方向性。 經實驗發現最佳參數為SiH4分壓為20 mTorr,H2分壓為40 mTorr,Ar分壓為40 mTorr,高週波能量(W1)為90 watts,輔助偏壓能量(W2)為10 watts,可成長出晶粒尺寸高達0.6 μm的大晶粒矽薄膜。
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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