矽離子佈植於p型氮化鎵之特性研究Investigation; of Si-implanted p-type GaN

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题名:	矽離子佈植於p型氮化鎵之特性研究Investigation;of Si-implanted p-type GaN
作者:	江博仁;Bo-Ren Jiang
贡献者:	光電科學研究所
关键词:	氮化鎵;離子佈植;implantation;GaN
日期:	2002-06-26
上传时间:	2009-09-22 10:26:31 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本文的實驗是研究矽離子佈值於鎂摻雜p 型氮化鎵的特性研究，以40keV 、70keV 、150keV 等不同能量及5×10 16 ，5×10 17 ，5×10 18 ， 1×10 20 cm -3 等不同佈植濃度，佈植在濃度為3.4 ×10 17 cm -3 之鎂摻雜p 型氮化鎵上，藉以了解矽離子佈植後的氮化鎵試片特性。在光特性方面，利用拉曼 (Raman) 量測顯示，佈植造成的缺陷在熱處理過程中會有相互聚集的現象，然後才是缺陷的消除；利用光激發螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示，矽離子佈植會將原本p 型氮化鎵的藍光發光機制(2.8eV)減弱，而產生黃光放射的發光機制。在電性方面，由霍爾量測顯示，佈植入的矽離子濃度一旦大於p 型氮化鎵的電洞濃度，便可將試片轉變為n 型的氮化鎵，而且由於佈植所留下來的傷害影響，電子遷移率會有大幅降低的現象；然後再以蕭特基二極體做深層能階暫態(deep-level transient spectroscopy)量測，顯示材料中之原生缺陷(native defect)的變化，所以在高濃度佈植後轉變為n 型氮化鎵，鎵空缺(gallium vacancy)的缺陷能階因為形成能降低而增加，說明了材料中補償效用的影響機制。p-type GaN can be converted to n-type by Si + ion implantation. We used AFM, XRD, PL, Raman scattering, Hall, and DLTS measurement to investigate the mechanism of this conversion.
显示于类别:	[光電科學研究所] 博碩士論文

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