English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 66984/66984 (100%)
Visitors : 22961512      Online Users : 341
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6740


    Title: n型氮化鎵金氧半場效電晶體;元件之製作與特性研究 Investigation of Characteristics and Process of n-type GaN-based MOSFET Devices
    Authors: 陳威宏;wei-hung chen
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 氮化鎵;金氧半場效電晶體;光電化學;氧化鎵;PEC;MOSFET;GaN;Ga2O3
    Date: 2003-07-09
    Issue Date: 2009-09-22 10:27:14 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 論文摘要 由於氮化鎵具備半導體材料當中鍵結最強的離子性,難以用傳統的方法進行蝕刻及氧化之製程,所以一般金氧半場效電晶體(MOSFETs)的閘極氧化物多為利用蒸鍍或濺鍍的方式製作,然而氧化物易受到蒸鍍或濺鍍的製程條件影響導致品質不佳,因此本篇論文主要利用新提出的光增強濕式的氧化方式,稱作光電化學的氧化方法(Photoelectrochemical oxidation method,PEC)直接對n型氮化鎵材料表面進行氧化,可有效改善用蒸鍍或濺鍍方式所製作之氧化層品質不佳的問題。 研究中發現藉由調整溶液PH值、照光強弱等方式可控制氧化鎵成長的速率,而由光激發光譜中顯示氧化鎵具有優秀的表面保護作用。經由對氧化鎵進行熱處理,其厚度會變得較薄,結構也變得較為緻密,並且擁有較佳之表面平整度,而當處理溫度愈高時變化愈明顯,接著進行金氧半場效電晶體元件製作並量測其特性,由量測漏電流及崩潰電場的結果顯示所製作為一高品質之氧化層,於元件的直流特性量測上,當施加於閘極的電壓為-3V時,量測到的輸出電流為零,此時整個場效電晶體已達到截止狀態(cut-off),而在互導值量測上,當閘源極的電壓為0.2V時,可獲得最大的互導值2.25mS/mm。
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File SizeFormat
    0KbUnknown729View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback  - 隱私權政策聲明