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    Title: 佈植氮離子與碳離子於未摻雜氮化鎵之特性研究Coimplantation;of N ion and C ion into undoped GaN
    Authors: 邵勝添;Sheng-Tien Shao
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 離子佈植;;氮化鎵;;GaN;C;implant;N
    Date: 2003-06-30
    Issue Date: 2009-09-22 10:27:35 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 論文摘要 本文的實驗是研究氮離子和碳離子同時及分別佈植於未摻雜之 氮化鎵的特性研究,氮離子以45keV、90keV、200keV 等不同能量分 別搭配2×1012 cm-2、4.5×1012cm-2、1×1013cm-2 等不同佈植濃度,而碳 離子以30keV、65keV、150keV 等不同能量分別搭配1.8×1012 cm-2、4 ×1012cm-2、9.5×1012cm-2 等不同佈植濃度,佈植在載子濃度約3.52× 1016cm-3 之未摻雜之氮化鎵上,形成一層佈植深度約350nm,佈植濃 度約達5×1017cm-3 的佈植層,藉以瞭解氮離子和碳離子佈植後的氮化 試片特性。 在光特性方面,利用拉曼(Raman) 量測顯示由佈植所造成的載 子濃度之改變可由A1(LO) 模態之強度變化而初步得知;利用光激發 螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示,氮離子佈植會降低黃光區 的發光強度且在波長683nm 附近會產生一個波峰,而碳離子將增強 黃光放射的發光機制且在波長683nm 附近亦會產生一個波峰。 在電性方面,由電流-電壓量測顯示,在相同的電壓下,經過氮 離子和碳離子佈植後的試片再經過熱退火處理過後與未佈植的試片 作比較,可以發現到其電流上的差異,以有佈植且經過900oC 熱處理 的試片有著較佳的絕緣性。Coimplantation of N ion and C ion into undoped GaN
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

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