論文摘要 本文的實驗是研究氮離子和碳離子同時及分別佈植於未摻雜之 氮化鎵的特性研究，氮離子以45keV、90keV、200keV 等不同能量分 別搭配2×1012 cm-2、4.5×1012cm-2、1×1013cm-2 等不同佈植濃度，而碳 離子以30keV、65keV、150keV 等不同能量分別搭配1.8×1012 cm-2、4 ×1012cm-2、9.5×1012cm-2 等不同佈植濃度，佈植在載子濃度約3.52× 1016cm-3 之未摻雜之氮化鎵上，形成一層佈植深度約350nm，佈植濃 度約達5×1017cm-3 的佈植層，藉以瞭解氮離子和碳離子佈植後的氮化 試片特性。 在光特性方面，利用拉曼(Raman) 量測顯示由佈植所造成的載 子濃度之改變可由A1(LO) 模態之強度變化而初步得知；利用光激發 螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示，氮離子佈植會降低黃光區 的發光強度且在波長683nm 附近會產生一個波峰，而碳離子將增強 黃光放射的發光機制且在波長683nm 附近亦會產生一個波峰。 在電性方面，由電流-電壓量測顯示，在相同的電壓下，經過氮 離子和碳離子佈植後的試片再經過熱退火處理過後與未佈植的試片 作比較，可以發現到其電流上的差異，以有佈植且經過900oC 熱處理 的試片有著較佳的絕緣性。Coimplantation of N ion and C ion into undoped GaN
