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    題名: 氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光偵測器之製作與特性分析;The study of AlGaN/GaN heterojunction metal-semiconductor-metal photodetector
    作者: 黃冠凱;Kuan-Kai Huang
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 光偵測器;金屬-半導體-金屬;異質接面;氮化鋁鎵/氮化鎵;heterojunction;AlGaN/GaN;photodetector;MSM
    日期: 2003-07-09
    上傳時間: 2009-09-22 10:27:38 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 摘要 本論文係利用有機金屬氣相沉積技術分別成長氮化鋁鎵/氮化鎵 異質接面蕭特基二極體結構試片和金屬-半導體-金屬光偵測器結 構試片,對試片製作蕭特基二極體,量測金屬與試片接觸的蕭特基位 障及理想因子,最後將蕭特基二極體的研究結果應用於金屬-半導體- 金屬光偵測器之製作,並量測元件暗電流及光頻譜響應度等特性。 論文中,在氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光偵測 器的光頻譜響應度中看出異質接面有抑制光電子-電洞被電極吸收 的情形,為確定原因,試著將試片中的氮化鋁鎵披覆層利用光電化學 氧化方法去除,再製作成金屬-半導體-金屬光偵測器,分析具有披覆 層及無披覆層光偵測器特性之差異。 最後藉由量測於不同偏壓下之光頻譜響應度與霍爾量測結果,確 定在光響應度抑制及連續暗電流中的峰值為氮化鋁鎵/氮化鎵異質接 面能帶不連續,在氮化鎵側產生一位阱,並有一很高濃度的電子侷限 在小範圍的位阱內,稱為二維電子氣,所造成的結果。
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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