English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 80990/80990 (100%)
Visitors : 40581487      Online Users : 845
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6755


    Title: 氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光偵測器之製作與特性分析;The study of AlGaN/GaN heterojunction metal-semiconductor-metal photodetector
    Authors: 黃冠凱;Kuan-Kai Huang
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 光偵測器;金屬-半導體-金屬;異質接面;氮化鋁鎵/氮化鎵;heterojunction;AlGaN/GaN;photodetector;MSM
    Date: 2003-07-09
    Issue Date: 2009-09-22 10:27:38 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 摘要 本論文係利用有機金屬氣相沉積技術分別成長氮化鋁鎵/氮化鎵 異質接面蕭特基二極體結構試片和金屬-半導體-金屬光偵測器結 構試片,對試片製作蕭特基二極體,量測金屬與試片接觸的蕭特基位 障及理想因子,最後將蕭特基二極體的研究結果應用於金屬-半導體- 金屬光偵測器之製作,並量測元件暗電流及光頻譜響應度等特性。 論文中,在氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光偵測 器的光頻譜響應度中看出異質接面有抑制光電子-電洞被電極吸收 的情形,為確定原因,試著將試片中的氮化鋁鎵披覆層利用光電化學 氧化方法去除,再製作成金屬-半導體-金屬光偵測器,分析具有披覆 層及無披覆層光偵測器特性之差異。 最後藉由量測於不同偏壓下之光頻譜響應度與霍爾量測結果,確 定在光響應度抑制及連續暗電流中的峰值為氮化鋁鎵/氮化鎵異質接 面能帶不連續,在氮化鎵側產生一位阱,並有一很高濃度的電子侷限 在小範圍的位阱內,稱為二維電子氣,所造成的結果。
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File SizeFormat


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明