研究TIEGCM的環境控制參數於電離層電子濃度分布之敏感度分析;Sensitivity of electron density distribution response to TIEGCM environment driving parameter

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題名:	研究TIEGCM的環境控制參數於電離層電子濃度分布之敏感度分析;Sensitivity of electron density distribution response to TIEGCM environment driving parameter
作者:	趙士豪;Chao,Shih-hao
貢獻者:	太空科學研究所
關鍵詞:	電離層;電子濃度
日期:	2015-08-25
上傳時間:	2015-09-23 10:50:48 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學
摘要:	使用 TIEGCM 模擬 2008 年第 80 天的電子濃度，針對太陽紫外線輻射通量、跨極冠電壓差、極區高能粒子沈降功率、日夜側上邊界電漿通量與大氣潮汐的強度與相位等環境參數，在一次僅調整一個參數的原則下，比較參數調整前後的電子濃度，討論該參數變化造成哪些區域或高電子濃度之結構影響。;We use TIEGCM to simulate the electron density on the 80th day of 2008, and make comparisions of electron density with and without adjustments on solar EUV flux, cross polar-cap potential, hemisphere power, dayside and nightside ion flux at upper bound, and amplitude and phases of atmosphere tides. Discuss the sensitive regions or high electron density structures for each parameter we adjust.
顯示於類別:	[太空科學研究所 ] 博碩士論文

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