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    題名: 透明導電氧化物應用在氮化鎵蕭基二極體之研究;Conductive transparent oxide applied to GaN Schottky barrier diodes
    作者: 林仕尉;Shin-Wei Lin
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 氮化鎵;蕭特基;透明導電氧化層;半導體;semiconductor;schottky;ITO;GaN;AZO
    日期: 2005-06-29
    上傳時間: 2009-09-22 10:30:29 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本實驗研究以氧化銦錫（ITO）、氧化鋅鋁（AZO）做為蕭特基接觸金屬，濺鍍於氮化鎵蕭特基二極體之光偵測器。而利用氧化銦錫當作透明導電膜的研究已有相當的瞭解，本論文改為利用氧化鋅鋁薄膜當作蕭S基接觸的薄膜。對於氧化鋅鋁的薄膜做過一連串的電性、光性及結構分析，找出氧化鋅鋁在不同的溫度下的電阻率及穿透率；進而製作在氮化鎵上當作光偵測器，量測的部分包括了元件的蕭特基能障高度、暗電流、照光電流響應及光頻譜響應。期望氧化鋅鋁薄膜在360nm的高穿透率，可以提高元件的光響應度。
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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