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    題名: 氧化鋅鋁透明導電膜光、電特性之研究;Characteristics of transparent and conductive aluminum zinc oxide thin film
    作者: 謝振剛;Cheng-Kang Hsieh
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 透明導電膜;氧化鋅鋁;AZO;sputter;X-ray
    日期: 2005-06-29
    上傳時間: 2009-09-22 10:30:32 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 摘要 本論文針對透明氧化物—氧化鋅鋁(Aluminum Zinc Oxide)—進行材料特性分析,首先以直流(DC)濺鍍(Sputtering)系統將氧化鋅鋁材料(ZnO:Al2O3=98%:2%)濺鍍於石英(Quartz)及氧化鋁(Sapphire)基板上,形成氧化鋅鋁透明導電膜,針對不同基板上薄膜的電阻率及晶格結構探討其差異,並經由適當的熱處理,依據不同熱處理狀況,將以霍爾量測系統(Hall measurement),量測其電學特性、以紫外光/可見光分光光譜儀( UV/VIS Spectrophotometer)系統量測其穿透特性、以X光光電子能譜儀(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS),量測其成分元素、以X-ray繞射(X-ray Diffractometer,XRD)系統觀察薄膜結晶特性、以光激發螢光(photoluminescence,PL)系統,觀察薄膜的品質,最後利用各種機制合理解釋上述各種量測及所觀察到的現象。 在氧化鋁基板上成長出來的薄膜其結晶性較成長在石英基板上的薄膜為佳,且在高溫氮氣環境下薄膜之熱穩定性良好,電阻率維持在7×10-4Ω-cm,平均穿透率在380nm-700nm的波段可達到85%以上。為了提高薄膜濃度,我們嘗試在氮氣及氫氣(5%)混合氣體環境下進行熱處理,其濃度可達7.2×1020cm-3 。在薄膜晶格結構方面 ,利用X-ray繞射訊號的半高寬(Full Width of Half Maxima)來解釋熱處理過後薄膜晶格結構的改善,並且利用PL光譜訊號的半高寬加以驗證熱處理過後薄膜品質的改善。
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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