垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究

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題名:	垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究
作者:	許世祿;She-Lu Hsu
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究
日期:	2000-07-13
上傳時間:	2009-09-22 10:52:04 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本篇論文主要是利用穿透式電子顯微鏡（TEM）及調制反射光譜探討垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之成長行為及光學性質。由電子顯微鏡觀察到多層砷化銦鎵量子點在成長時會有垂直耦合而形成量子點柱的現象，且量子點直徑也會趨向較均勻化。並由光激發螢光光譜的量測，得知量子點的耦合可有效的增進量子點螢光的均勻性。在電場調制及光調制反射光譜中，可清楚的得到量子點及WL（Wetting Layer）的訊號，並發現該量子點訊號並非單純的能帶調制訊號，而可能與載子的填態調制相關。另外由改變直流偏壓的電場調制光譜中，還直接觀察到WL的量子能階史塔克效應（Stark effect）。最後利用法蘭茲-克第斯振盪（FKO）的量測，直接得到樣品的內建電場大小，並與理論計算的結果相吻合。
顯示於類別:	[物理研究所] 博碩士論文

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