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    題名: 應力緩衝自聚性砷化銦量子點之電場調制反射光譜
    作者: 黃千奇;Chien-chi Huang
    貢獻者: 物理研究所
    關鍵詞: 量子點;應力緩衝;電場調制反射光譜
    日期: 2000-07-07
    上傳時間: 2009-09-22 10:52:19 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文係以電場調制反射光譜研究自聚性砷化銦(InAs)量子點束縛能階躍遷訊號，考慮量子點與緩衝應力的砷化銦鎵(In0.16Ga0.84As)層彼此相對位置的不同所產生的差異。 由電場調制反射光譜於低溫實驗的結果，我們不僅成功地觀察到來自量子點的訊號，同時也得到wetting layer以及法蘭茲-克第斯振盪的訊號。 從改變外加電場的結果中發現來自量子點與wetting layer的訊號皆隨著電場的加大而往低能量偏移，即所謂量子能階的史塔克效應。同時我們也發現量子點內的偶極矩會因為應力緩衝層而有不同的方向。初步認為與應力緩衝層造成不對稱的位能井或量子點內銦的分布有關。此外，我們尚可利用法蘭茲-克第斯振盪的實驗結果協助檢視樣品實際上內建電場的大小。
    顯示於類別:[物理研究所] 博碩士論文

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