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    Title: 大面積矽偵測器寄生電容量測及分析;Measurement and Analysis on Parasitic Capacitances of Large-Area Silicon Detectors
    Authors: 王曉琪;Xian-Qi Wang
    Contributors: 物理研究所
    Keywords: 矽偵測器
    Date: 2000-06-30
    Issue Date: 2009-09-22 10:52:24 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 在PHOBOS的實驗中,利用相對重離子碰撞加速器(Relativistic Heavy-Ion Collider accelerator),藉著金原子和金原子的對撞,模擬這個最原始的狀態—夸克—膠子電漿態(Quark-Gluon Plasma)。為了能夠偵測到夸克—膠子電漿態(Quark-Gluon Plasma)的存在證據,PHOBOS實驗就以矽偵測器作為主要的偵測器。隨著實驗要求的不同,矽偵測器的幾何形狀也就有不同的設計,在PHOBOS的實驗中,所用的主要偵測器就是矽微條偵測器(Silicon Strip Detector,SSD)以及矽塊狀偵測器(Silicon Pad Detector,SPD)。而在本篇論文中,主要就是探討PHOBOS所用的SSD以及SPD的寄生電容(parasitic capacitance)的性質。 矽偵測器(SSD,SPD)的內部,寄生電容(parasitic capacitance)一直是受人討論的問題。因為它關係到這個偵測器的訊號和噪音的比例(signal-noise ratio),而且它很難從偵測器上直接地量測出來。為了能夠得到這些寄生電容的值,藉著K&S Model 4123點銲機讓欲測量P+塊狀區域的附近每個P+塊狀區域的偏壓電阻接地(bonding pad ground)。接著再用KEITHLEY Model 230電壓供應器以及KEITHLEY Model 590 CV Analyzer電容量測器,藉著Labview的整合,透過GPIB介面,控制電壓的輸出以及電容值的讀取。 經由一系列不同『接地』方式量測某一個單一P+塊狀區域的結果。結果得知,以訊號線(signal line)和第一層金屬(Metal_1)之間的電容和訊號線(signal line)和訊號線(signal line)之間的電容是構成寄生電容最主要的二個部分。為了能夠減少這二個部分的寄生電容,偵測器內部訊號線的設計以及Metal_1和Metal_2之間的絕緣層種類及厚度是必須要考慮的。
    Appears in Collections:[物理研究所] 博碩士論文

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