熱處理對氮化銦鎵量子井雷射結構之影響與壓電效應之分析; Thermal and piezoelectric effects on the optical properties of InGaN-based quantum well laser structures

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题名:	熱處理對氮化銦鎵量子井雷射結構之影響與壓電效應之分析;Thermal and piezoelectric effects on the optical properties of InGaN-based quantum well laser structures
作者:	薛道鴻;Dao-Hung Xue
贡献者:	物理研究所
日期:	2001-07-09
上传时间:	2009-09-22 10:52:45 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文主要分為兩部分，第一部份為以數學模擬計算的方式來探討熱處理對氮化銦鎵量子井材料光特性的影響，第二部分的內容為探討壓電場對氮化銦鎵量子井雷射結構在光特性上的影響。在過去的文獻當中，有人提出對氮化銦鎵量子井材料做熱處理會增加其光增益，但也有人提出相反的結果，因此在本論文第一部份的模擬計算考慮了熱處理（以擴散長度Ld 來表示）及壓電場對量子井的影響，並分為銦含量為10%和20%兩種情況，經由Fick’s law 解出 V（z）再代入薛丁格方程式，解出其eigenvalues 及eigenfunction，再代入相關公式最後求出photon energy 與optical gain 在不同熱處理程度下與current density 的關係。本論文第二部份是以氮化銦鎵量子井雷射結構的材料為試片，以 optical pumping 的方式來產生stimulated emission，並找出其低溫和室溫的threshold power density；此外，以不同的N2 laser power density 來量測試片在低溫和室溫的PL，觀察其光譜變化來探討壓電場在低溫與室溫下的變化。
显示于类别:	[物理研究所] 博碩士論文

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