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    Title: 離子佈植技術應用於高亮度發光二極體之設計與製作;The Device Design and Fabrication of High Brightness Light Emitting Diode by Ion Implantation.
    Authors: 顏璽軒;Xi-Xuan Yan
    Contributors: 物理研究所
    Date: 2001-07-09
    Issue Date: 2009-09-22 10:53:30 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本論文是採用以磷化鎵作為窗戶層(window layer)的紅光二極體,利用H+離子佈植技術配合黃光微影技術,製作這不同的電流阻隔層(current blocking),並分別討論其物理與元件特性差異。論文一開始會簡單介紹離子佈植技術與高亮度發光二極體結構,之後論文的研究主題分為以下兩大部分: (1) H+離子佈植的研究: 利用離子佈植劑量與活化條件的不同,製作薄電流阻隔層(H+:200kev/3E14cm-2)與較厚之電流阻隔層(H+:150kev/1E14cm-2+200kev/2E14cm-2),以最佳化後之活化條件(最高溫750℃、停留時間30秒)處理,發現薄電流阻隔層之表面電阻(27.16ohm/sq)與表面載子濃度(6.9E15/cm2)均最佳。直接製作成發光二極體時,薄電流阻隔層之元件的電性(Vf=2.03V)如預期般較佳,此結果將應用於往後的實驗。 (2) 比較電流阻隔區與金屬電極之幾何關係: 為探討電流擴散效率,以不同尺寸之電流阻隔區與金屬電極相互搭配。我們發現當金屬電極直徑150µm搭配電流阻隔區直徑100µm時,和傳統二極體相比,雖然由於串連電阻的增加使得元件的電性小幅劣化(Vf增加2.5﹪),但元件之發光強度卻大幅增加(mcd值增 i 加41.4﹪)。同時因電流阻隔層造成之串連電阻上升(電阻增加11.36﹪),而可能增加之熱量累積,從元件之電激光譜觀察,光譜之峰值並未因電流阻隔層的存在而產生紅移的現象,且光譜的半高寬也未見增加。可知電流阻隔區在增加元件發光強度之餘,並未嚴重影響二極體發光的波長之單一性,因此大大增加了以離子佈植製作高亮度發光二極體的實用性。
    Appears in Collections:[Graduate Institute of Physics] Electronic Thesis & Dissertation

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