液晶薄膜相位光學鑑定分析與研究

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題名:	液晶薄膜相位光學鑑定分析與研究
作者:	張柏寧;Bo-Ning Zheng
貢獻者:	物理研究所
日期:	2001-07-16
上傳時間:	2009-09-22 10:53:36 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	根據Selinger 與 Nelson 的理論所建立的 Sm-I － Sm-L － Sm-F 相變模型，分別在 FTE1 及 5O.6 的實驗中被發現，而學生藉由自由懸浮的液晶薄膜來建立一個逼近二維的實驗系統，並利用反射式偏光顯微鏡來對7O.5、6O.4、5O.5、4O.7 這四種材料進行溫度及相位變化的觀察。在實驗的結果中，再一次的觀察到與Sm-I － Sm-L － Sm-F 相變模型相符合的相變過程，也在4O.7 極薄膜的實驗中，觀察到不易見到的7- armed 缺陷，但同材料較厚膜的相變行為卻表現出與層數明顯相關，且其相變的行為也與Selinger 和 Nelson 的理論相違背，這是由於層數稍多(約20 層)，超出了Selinger 和 Nelson 的理論當初所假設的純二維系統環境所致。而在5O.5、4O.7 這兩種材料低溫的相變過程中，出現了表層正交相位但內層卻為傾斜相位的特殊行為，此原因僅能由表面tilt order 及表面crystalline order 相互競爭來說明，但是至今尚未能完全藉由理論的推論及詳細計算來解釋。
顯示於類別:	[物理研究所] 博碩士論文

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