低溫成長氮化鎵薄膜之特性研究; Material Characterizations of Low temperature grown GaN films

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 博碩士論文 > Item 987654321/7322

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/7322

题名:	低溫成長氮化鎵薄膜之特性研究;Material Characterizations of Low temperature grown GaN films
作者:	陳松昇;song-sang chen
贡献者:	物理研究所
关键词:	低溫成長的氮化鎵;LT-GaN
日期:	2003-07-10
上传时间:	2009-09-22 10:55:14 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本篇論文是研究低溫成長氮化鎵之材料特性：包括以霍爾量測法檢視其電性；以光激發光及吸收光譜檢視其光性：以X光繞射法檢視其晶體結構。並以原子力顯微鏡量測的結果作其在電性、光性及內部結構之佐證。另外並以高溫爐或是快速熱退火改變試片之熱處理條件，或以離子佈植的方式改變試片原有之特性。 This issue is discovered the material characterizations of low temperature growth GaN films:including electricity,optical properties,structure.
显示于类别:	[物理研究所] 博碩士論文

文件中的档案:

档案	大小	格式	浏览次数

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing