氣相沉積氮化物奈米線的成長與研究; The Growth and Analysis of Nitride Nanowires

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Title:	氣相沉積氮化物奈米線的成長與研究;The Growth and Analysis of Nitride Nanowires
Authors:	藍天蔚;Tian-Wey Lan
Contributors:	物理研究所
Keywords:	氮化鎵;奈米線;氣相沉積;CVD;nanowires;GaN
Date:	2005-06-24
Issue Date:	2009-09-22 10:56:22 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	本實驗透過「氣-液-固」（vapor-liquid-solid；簡稱VLS）機制及使用金當催化劑，成功地在低壓下分別在矽基板和石英基板上成長氮化鎵的奈米線。從中發現成長基板的位置和溫度的高低會決定氮化鎵生成物的尺寸大小，成長時間會決定數量的多寡。在形貌分析上，透過場發射掃描式電子顯微鏡（FE-SEM）可觀測到六角狀氮化鎵奈米線，直徑分佈於60~100nm之間，平均為75.6 nm，長度可達數十個微米（μm），且在奈米線頂端觀察到金屬合金球狀物，這直接證明了奈米線的VLS成長機制。另外從能量分散式光譜儀（EDS）成分分析確定了鎵和氮的存在；而透過TEM和X-ray去探討氮化鎵奈米線的單晶烏采（wurtzite）結構。光性分析由螢光激發光譜量測（Potoluminescence；簡稱 PL）與顯微拉曼光譜（Mirco-Raman）分析光譜儀再次驗證了奈米線的高品質。我們使用石英基板去成長氮化鎵奈米線，並比較其與以矽當基板成長氮化鎵奈米線之異同。在定性半定量的EDS成分分析中，石英基板上的奈米線中鎵和氮的成份含量都比長在矽基板上的還高，推測是由於在石英基板上有氧原子的輔助成長。而在X-ray部分，以石英當基板的奈米線在 (002) 軸向的訊號也比以矽當基板的樣品高出約一倍，這推測可能是由於不同的成長方向所造成。
Appears in Collections:	[Graduate Institute of Physics] Electronic Thesis & Dissertation

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