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    題名: 高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究;Optical characteristics of In-rich InGaN thin film
    作者: 莊財福;Tsai-Fu Chuang
    貢獻者: 物理研究所
    關鍵詞: 氮化銦鎵
    日期: 2005-07-01
    上傳時間: 2009-09-22 10:56:40 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本篇論文利用光激發螢光光譜、微光激發螢光光譜及原子力顯微鏡,來研究高銦含量氮化銦鎵(InxGa1-xN)薄膜結構的發光特性。 由光激發螢光光譜,觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦ x ≦ 1之間的發光位置。在原子力顯微鏡的影像發現,高銦含量(0.92≦ x ≦ 0.36)的氮化銦鎵表面有團狀物的形成,同時在變溫光譜中,其訊號峰值隨溫度上升,有一S型的能量變化外,半高寬變化也有不規則的改變。最後藉由不同位置及溫度改變的微光激發螢光光譜,來加以探討這些不尋常現象的原因。
    顯示於類別:[物理研究所] 博碩士論文

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