English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41625102      線上人數 : 1859
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧：
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號"，以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋，建議至進階搜尋限定作者欄位，可獲得較完整資料
    •  進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/7372


    題名: 高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究;Optical characteristics of In-rich InGaN thin film
    作者: 莊財福;Tsai-Fu Chuang
    貢獻者: 物理研究所
    關鍵詞: 氮化銦鎵
    日期: 2005-07-01
    上傳時間: 2009-09-22 10:56:40 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本篇論文利用光激發螢光光譜、微光激發螢光光譜及原子力顯微鏡，來研究高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）薄膜結構的發光特性。 由光激發螢光光譜，觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦ x ≦ 1之間的發光位置。在原子力顯微鏡的影像發現，高銦含量（0.92≦ x ≦ 0.36）的氮化銦鎵表面有團狀物的形成，同時在變溫光譜中，其訊號峰值隨溫度上升，有一S型的能量變化外，半高寬變化也有不規則的改變。最後藉由不同位置及溫度改變的微光激發螢光光譜，來加以探討這些不尋常現象的原因。
    顯示於類別:[物理研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期：8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明