高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究; Optical characteristics of In-rich InGaN thin film

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題名:	高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究;Optical characteristics of In-rich InGaN thin film
作者:	莊財福;Tsai-Fu Chuang
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	氮化銦鎵
日期:	2005-07-01
上傳時間:	2009-09-22 10:56:40 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本篇論文利用光激發螢光光譜、微光激發螢光光譜及原子力顯微鏡，來研究高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）薄膜結構的發光特性。由光激發螢光光譜，觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦ x ≦ 1之間的發光位置。在原子力顯微鏡的影像發現，高銦含量（0.92≦ x ≦ 0.36）的氮化銦鎵表面有團狀物的形成，同時在變溫光譜中，其訊號峰值隨溫度上升，有一S型的能量變化外，半高寬變化也有不規則的改變。最後藉由不同位置及溫度改變的微光激發螢光光譜，來加以探討這些不尋常現象的原因。
顯示於類別:	[物理研究所] 博碩士論文

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