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    題名: 穩健且具高抗損率的迴歸估計
    作者: 許嘉仁;Jian-Run Hsu
    貢獻者: 統計研究所
    關鍵詞: 離子佈植;砷化鎵金屬半導體場效電晶體;Ion-implantation;MESFET
    日期: 2002-01-15
    上傳時間: 2009-09-22 10:58:12 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文主要是研究離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體(MESFET)。文中簡單介紹電晶體、離子佈植和相關量測之原理,並詳述各個製程步驟之技術,接著,探討元件的直流、高頻特性與特殊氧植入之元件。 在元件之直流特性方面,1.0 mm ’ 50 mm之元件,其汲極飽和電流為215 mA/mm,夾止電壓為 -1.9 V;元件最大轉移電導gm為152 mS/mm。在高頻特性方面,元件偏壓在VDS = 2.0 V,VGS = 0 V時,量測求得電流增益截止頻率(ft)為8 GHz,功率增益截止頻率(fmax)為25 GHz。 另外,為了改善元件之崩潰特性與鈍化層的處理,針對表面植入氧之元件進行研究。經由實驗證明,氧的植入確實能有效改善元件之崩潰特性,更可以省略表面鈍化層的製程,但只對於元件之直流和高頻特性帶來了少許的傷害。
    顯示於類別:[統計研究所] 博碩士論文

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