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    題名: 適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發;Development of High Power Alinn/Gan High Electron Mobility Transistors for Millimeter Wave Power Amplifiers
    作者: 綦振瀛;邱顯欽
    貢獻者: 國立中央大學電機工程學系
    關鍵詞: 電子電機工程
    日期: 2018-08-01
    上傳時間: 2018-05-02 17:19:49 (UTC+8)
    出版者: 科技部
    摘要: 針對第五代(5G)行動通訊頻寬的需求,將載波頻率提升至毫米波是未來的趨勢,因此,世 界各國的研發團隊已紛紛投入相關研究。5G系統基地台之功率放大器也勢必更大幅地改用具 效率高、體積小優點的氮化鎵功率電晶體。目前的氮化鎵功率電晶體是以氮化鋁鎵/氮化鎵異 質結構為主,然而受限於其氮化鋁鎵的成分與厚度,高頻特性有所限制。在此計晝中,我們擬 以低界面應力的氮化鋁銦/氮化鎵異質結構來取代傳統的氮化鋁鎵/氮化鎵結構,藉由此新結構 特有的高濃度二維電子氣來降低電晶體通道電阻,提高電流密度。此計晝將以矽基板上0.1微 米T型閘極電子遷移率電晶體為研發載具,進行磊晶技術,製程技術與封裝技術之開發,並 展示10 W級Ka頻段(30 GHz)之功率電晶體。
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[電機工程學系] 研究計畫

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