二維凡德瓦薄膜的物理特性研究 – 分子束磊晶技術發展與晶體結構、電子結構解析;Physical Properties of Low-Dimensional Van Der Waals Thin Films – Development of Molecular Beam Epitaxy Growth, Characterizations of Lattice and Electronic Structures.

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题名:	二維凡德瓦薄膜的物理特性研究 – 分子束磊晶技術發展與晶體結構、電子結構解析;Physical Properties of Low-Dimensional Van Der Waals Thin Films – Development of Molecular Beam Epitaxy Growth, Characterizations of Lattice and Electronic Structures.
作者:	林孟凱
贡献者:	國立中央大學物理學系
关键词:	過渡金屬硫化物;拓撲材料;二維異質結構;角解析光電子能譜;電子結構;電荷密度波;量子尺度效應;;Transition metal dichalcogenides (TMDCs);topological materials;two-dimensional heterostructures;angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES);electronic structure;charge density wave (CDW);quantum size effects.
日期:	2021-12-21
上传时间:	2021-12-23 14:05:37 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	在奈米尺度下，材料的特性與巨觀尺度有著極大的不同，因此在電子元件的應用上有著很大的應用潛力。本研究著重於研發新穎凡得瓦二維材料的成長技術以及表面與界面的物理機制解析。此研究除了提供新穎二維材料的成長技術外，也將有系統的探索二維材料的應用價值，研究結果將能夠解決低維度電子元件在奈米尺度下的侷限性。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[物理學系] 研究計畫

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