建立創新雙脈衝不穩定GaN功率元件測試分析和原因探究與新型功率元件開發;Establish an Innovative Dpt for Gan Power Device Instability and Development of New Power Devices

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 研究計畫 > Item 987654321/88683

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/88683

題名:	建立創新雙脈衝不穩定GaN功率元件測試分析和原因探究與新型功率元件開發;Establish an Innovative Dpt for Gan Power Device Instability and Development of New Power Devices
作者:	國立中央大學光電科學研究中心
貢獻者:	國立中央大學光電科學研究中心
關鍵詞:	氮化鎵;硬開關;雙脈衝測試;不穩定性;GaN;HEMT;Hard Switching;Double Pulse Test (DPT);instability
日期:	2022-07-26
上傳時間:	2022-07-27 10:44:17 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	本計畫進行創新GaN功率元件雙脈衝(DPT)不穩定測試技術建立和新型功率元件的製作，此DPT不穩定測試項目足以讓台灣學界/業界得到進一步GaN功率元件的動態不穩定評估和改善方案。此新型GaN功率元件的測試研究進展，可以讓國內產業在高壓GaN功率元件相關產品獲得新的測試可靠度訊息，並包含新的E-mode元件設計、製程、和特性分析等。對學術研究上和經濟上能以新創DPT不穩定測試和新穎E-mode AlGaN/GaN HEMT搭配元件物理的研究開發出比傳統E-mode AlGaN/GaN HEMT的閘極偏壓範圍且在可靠度上更改善。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 研究計畫

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	99	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing