矽基六方氮化硼-過渡金屬硫化物異質結構製程開發;Development of Hexagonal Boron Nitride-Transition Metal Dichalcogenides Heterostructure Process on Silicon Substrate

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題名:	矽基六方氮化硼-過渡金屬硫化物異質結構製程開發;Development of Hexagonal Boron Nitride-Transition Metal Dichalcogenides Heterostructure Process on Silicon Substrate
作者:	國立中央大學光電科學與工程學系
貢獻者:	國立中央大學光電科學與工程學系
關鍵詞:	六方氮化硼;過渡金屬硫化物;異質結構;hexagonal boron nitride;transition metal dichalcogenides;heterostructure
日期:	2022-07-26
上傳時間:	2022-07-27 10:44:46 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	計畫之製程技術主要包含六方氮化硼與二硫化鉬薄膜技術，整合而成，是一項新型鍍膜技術，其中之目標均為發展二維材料製程與設備技術，而矽基六方氮化硼-過渡金屬硫化物材料可提升台灣在先進半導體技術。利用本團隊自主開發的高能脈衝電漿系統開發出二維材料製程，期望能達到可商業化之需求，且提升其可量產性以增加市場競爭力。因此目標為將研究成果實際應用在產業上，除了持續進行新型材料研究與製程開發外，也保持與產業的接觸與磨合。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 研究計畫

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