English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 65421/65421 (100%)
Visitors : 22283282      Online Users : 124
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9101


    Title: 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
    Authors: 甘佳民;Jian-Ming Gan
    Contributors: 電機工程研究所
    Keywords: 氮化鋁;中間層;異質接面場效電晶體;氮化鎵;氮化鋁鎵/氮化鎵;AlN;interlayer;HFET;GaN;AlGaN/GaN
    Date: 2001-07-17
    Issue Date: 2009-09-22 11:41:07 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 在磊晶氮化鎵於藍寶石基板㆖時,由於晶格不匹配,導致在氮化鎵與基板介面間產生線差排,而此差排會往㆖延伸到表面,如此會降低材料㆗的電子遷移率。有論文發表在磊晶緩衝層時,若於緩衝層㆗加入了AlN interlayer可以減少這線差排。本文旨要在分析加入了這AlN interlayer以後,除了改善我們磊晶的品質外,觀看這是否會對我們元件特性有其它影響。除了元件特性外,本文尚討論了AlN interlayer與AlGaN對㆓維電子海的影響。
    Appears in Collections:[電機工程研究所] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File SizeFormat
    0KbUnknown514View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback  - 隱私權政策聲明