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    Title: 氮化鎵異質結構場效電晶體製作與特性分析
    Authors: 許宏造;Hong-Zhau Xu
    Contributors: 電機工程研究所
    Keywords: 氮化鎵;異質結構場效電晶體;小訊號等效電路模型
    Date: 2001-07-13
    Issue Date: 2009-09-22 11:41:19 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本論文主要研究內容在於氮化鎵通道摻雜場效電晶體的製作與量測。藉由電晶體的直流量測,整理出撞擊游離係數對電場的關係,以得到氮化鎵崩潰電場強度。而在電晶體特性量測方面,包括直流、高頻與功率電晶體的功率特性。在直流量測中,發現了存在於電晶體的陷井(trap)所造成的電流坍塌現象(current collapse)。在功率電晶體的量測方面,試著分析電流坍塌現象對電晶體影響的機制,並在量測不同閘極寬度的電晶體同時,提出熱效應(self-heating)的問題。對於sapphire基板所造成的熱效應問題,藉由元件隨環境溫度改變而變化的直流特性,計算出sapphire基板熱阻值。並針對本論文中所使用到的功率電晶體,建立其小訊號等效電路模型,利用“Cold FET”量測方式萃取出外部寄生元件參數,並由矩陣與數學運算得到與元件偏壓條件有關的內部本質元件參數,最後完成模型建立,並與實際高頻量測結果比較。
    Appears in Collections:[電機工程研究所] 博碩士論文

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