English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 78852/78852 (100%)
Visitors : 37898566      Online Users : 357
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/91171


    Title: 單源熱蒸鍍製程製作大面積CsPbBr3綠光發光二極體研究(II);The Study of Large Emitting Area Cspbbr3 Green Light Emitting Diode Fabricated by Single-Source Thermal Evaporation Process (2)
    Authors: 詹佳樺
    Contributors: 國立中央大學能源工程研究所
    Keywords: 綠光鈣鈦礦發光二極體;藍光鈣鈦礦發光二極體;熱蒸鍍;原子層沉積;量子井;Green Light Perovskite LED;Blue Light Perovskite LED;Thermal Evaporation Deposition;Atomic Layer Deposition;Multiple Quantum Well
    Date: 2023-07-17
    Issue Date: 2023-07-18 14:27:41 (UTC+8)
    Publisher: 國家科學及技術委員會
    Abstract: 目前PeLED的研究重點主要是以溶液法製作鈣鈦礦發光層,其雖然具有快速以及製程便宜的優點,但是在溶劑移除的過程除了會造成環境的污染以外,亦容易造成薄膜品質的缺陷。本研究提出採用熱蒸鍍製程鍍製鈣鈦礦發光層具有可精確調控薄膜厚度、可自由調整原料比例、薄膜品質較為緻密且可以大面積製造PeLED元件等優點,在未來具有商業化的潛力。此外,研究同時結合MQW結構設計,仿效目前GaN LED的量子井技術的應用,期能製作出高發光效率之新式藍光以及綠光PeLED。
    Relation: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    Appears in Collections:[能源工程研究所 ] 研究計畫

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    index.html0KbHTML60View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明