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    題名: 砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及壓控振盪器設計與製程
    作者: 王瑞慶;Ruan-Qing Wang
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 異質接面雙極性電晶體;變容二極體;本質接面雙極性電晶體;單晶微波積體電路;高頻壓控振盪器;AlGaAs/GaAs;self-aligned;non-self-aligned;MMIC;VCO
    日期: 2001-07-05
    上傳時間: 2009-09-22 11:41:27 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 在本論文中,我們著重的是AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體的製作並討論其特性。在製作的過程中,我們利用材料的晶格方向的蝕刻特性,設計了self-aligned及non-self-aligned兩種不同的製程方式。其中self-aligned的製程中有利於降低基極的電阻及CBC,如此的特性會增加fT及fMAX的頻率響應。 Self-aligned HBT的fT = 34 GHz,fMAX = 30 GHz; Non-self-aligned HBT 的fT = 31 GHz,fMAX = 17.75 GHz。 在VCO電路的應用上,利用在製作HBT的過程中基極及集極的p-n接面製作變容二極體,以達成異質接面雙極性電晶體及變容二極體的整合製程。此外HBT比本質接面雙極性電晶體( BJT )元件有更好的頻率響應,如此可設計出在單晶微波積體電路(MMIC)上之高頻壓控振盪器(VCO)。文中介紹了1.8 GHz與5.8 GHz VCO的設計與模擬,並量測 1.8 GHz VCO的量測特性為:Varactor 電壓為0時,輸出的頻率為2.1 GHz,輸出功率為0.43 dBm,相位雜訊為-76 dBc/Hz。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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