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    題名: 異質接面雙極性電晶體VBIC模型建立及其功率特性模擬;Heterojunction Bipolar Transistor VBIC Model Establish and Power simulation
    作者: 蔡旻倪;Min-Ni Tsai
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 異質接面雙極性電晶體;功率特性;VBIC model;HBT
    日期: 2003-01-09
    上傳時間: 2009-09-22 11:45:03 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文主要是針對異質結構雙載子電晶體建立其VBIC model。 在大訊號模型建立上,我們利用ICCAP量測系統量測所需要的圖形如:順向gummel-plot、逆向gummel-plot、共射極直流輸出特性曲線…等;在接面電容量測上,將8510當作一個C-V量測系統;在小訊號S-參數模型建立上,同樣利用8510向量網路分析儀來量測S-參數。 在量測完所需要的圖形之後,利用ADS模擬軟體將模型參數萃取出來,並建立出完整的VBIC model,利用該模型模擬元件包括直流、交流…等特性,確認模型參數是否正確、元件在線性特性上的表現為何…等。 此外,模擬亦包括了自我加熱效應的部分。 其次,分別量測元件在不同溫度下的直流工作情形,建立出VBIC model中關於溫度的相關參數,目的是為了使得該元件不論是在何種溫度操作下,都能保持其模型穩定性,不會有誤差產生。 最後,利用負載-拉移量測找出元件最大輸出功率點為何,並進而量測出在不同輸入功率下所對應的輸出功率,並得到元件的功率增益及功率附加效率,以得知元件在功率特性的表現為何。 接著再利用所建立的VBIC model做關於功率特性方面的模擬,以得知大訊號模型是否能正確模擬元件的非線性特性。 在量測與模擬上,皆包含了固定偏壓與不同偏壓的部分。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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