開發低損傷金屬沉積製程並應用於製作高效能二維MoS2非對稱蕭特基接面元件;Development of Low Damage Metal Evaporation Technique and Its Application in Fabrication of High Performance Mos2 Devices Based on Asymmetric Schottky Junctions

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題名:	開發低損傷金屬沉積製程並應用於製作高效能二維MoS2非對稱蕭特基接面元件;Development of Low Damage Metal Evaporation Technique and Its Application in Fabrication of High Performance Mos2 Devices Based on Asymmetric Schottky Junctions
作者:	陳一塵
貢獻者:	國立中央大學材料科學與工程研究所
關鍵詞:	二硫化鉬;二維材料;蕭特基二極體;費米能階釘札;Molybdenum disulfide;Two dimensional materials;Schottky junctions;Fermi level pinning
日期:	2024-09-27
上傳時間:	2024-09-30 16:11:02 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本計劃的研究結果可提供一種針對2D材料的低表面損傷金屬接觸製程方式，可有效降低金屬沉積過程中所造成2D材料的表面缺陷，進而製備出高效能的2D TMD Schottky contact-based元件。相較於過往文獻採取轉移製程來製作接觸電極，本研究開發的製程能夠應用於大面積的晶圓製作，且具有良好的製程穩定性與再現性。此外，本研究所開發的製程可直接整合於一般半導體製程機台上進行，可有效降低設備成本並有助於推動2D材料相關電子元件的發展。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 研究計畫

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