中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/9509
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 69937/69937 (100%)
造访人次 : 23032200      在线人数 : 518
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9509


    题名: C頻帶射頻電路設計及模組封裝;C band RF circuit and package design
    作者: 蘇珍儀;Jen-Yi Su
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: 封裝;升頻器;混頻器;壓控振盪器;功率放大器;packaging;up-converter;mixer;VCO;power amplifier;IEEE 802.11a
    日期: 2003-06-05
    上传时间: 2009-09-22 11:49:19 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 摘要 因為無線通訊的蓬勃發展,為了產品的低成本及整合度上的需要,所以近幾年來CMOS在製程技術上不斷進步,使它的高頻電路應用上有不錯的表現,以至於主導了在5 GHz以下的射頻無線通訊電路設計。但在功率放大器的設計上,還是有相當多的設計以GaAs為主。因為GaAs的工作頻率及特性都來的比CMOS好,但唯有缺點就是價格貴。所以在本論文中,第二章介紹了功率放大器的原理及設計方法,並且以GaAs的製程設計了兩級的功率放大器,量測結果再跟模擬做一比較。在第三章中,介紹振盪器的原理與設計方法,以及設計一個振盪在5.2 GHz的壓控振盪器。第四章所介紹的是升頻電路,以CMOS的製程來做設計,其中包括混頻器及功率放大器,而本地振盪源訊號由外部提供,並沒有做在晶片之內。最後第五章以封裝實做為主,將第二章所做的功率放大器晶片請日月欣幫忙封裝,要來探討封裝對於5.2 GHz電路的影響,及其所造成的效應
    显示于类别:[電機工程研究所] 博碩士論文

    文件中的档案:

    档案 大小格式浏览次数


    在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈  - 隱私權政策聲明