參考文獻 |
1. M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
2. S. Yoshida and J. Suzuki, J. Appl. Phys. 85, 7931 (1999).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
4. J. S. Foresi, T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
5. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
6. J. D. Guo, C. I. Lin, M. S. Feng, F. M. Pan, G. C. Chi, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 68, 235 (1996).
7. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Mater. Sci. Engineering B 43, 292 (1997).
8. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. C. Liu, C. M. Chang, W. C. Hung, J. S. Bow, and Y. C. Yu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 729 (2000).
9. N. A. Papanicolaou, M. V. Rao, J. Mittereder, and W. T. Anderson,J. Vac. Sci. B 19, 261 (2001).
10. A. N. Bright, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, and R. Davies, J. Electron. Mater. 30, L13 (2001).
11. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
12. L. L. Smith, S. W. King, R. J. Nemanich, and R. F. Davis. J. Electron. Mater. 25, 805 (1996).
13. J. Massies, J. Chaplart, M. Laviron, and N. T. Linh, Appl. Phys. Lett. 38, 693 (1981).
14. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
15. Y. Nannichi, J. Fan, H. Oigawa, and A. Koma, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2367 (1988).
16. Y. Nannichi and H. Oigawa, Extended Abstracts, 22nd Conf. Solid State Devices & Materials, Sendai 1990, 453 (Business Center for Academic Societies, Tokyo).
17. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovitch, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 2022 (1987).
18. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, M. S. Lundstrom, and S. P. Tobin, Appl. Phys. Lett. 52, 2157 (1988).
19. H. Oigawa, J. Fan, Y. Nannichi, K. Ando, K. Saiki, and A. Koma, Extended Abstracts, 20th Conf. Solid State Devices & Materials, Sendai 1988, (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1988). p. 263.
20. J. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2125 (1988).
21. J. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1331 (1988).
22. J. Fan, Y. Kurata, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2255 (1989).
23. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Appl. Phys. Lett. 65, 1695 (1994).
24. H. Ishimura, K. Sasaki, and H. Tokuda, Int. Symp. GaAs and Related Compounds, Karuizawa, 1989, p. 405.
25. H. Oigawa, Y. Kurata, J. Fan, and Y. Nannichi, Extended Abstracts of the 37th Spring Meeting, 1990 (The Japan Society of Applied Physics and Related Societies, Chiba, 1990), paper 30a-M9.
26. X. Zhang, F. Zhang, E. Lu, and P. Xu, Vacuum, 57, 145 (2000).
27. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang. F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
28. G. L. Martizen, M. R. Curiel, B. J. Skromme, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 29, 325 (2000).
29. 汪建民,材料分析,中國材料科學學會 (1998).
30. 王志方,材料表面測定技術,復漢出版社 (1999).
31. 黃振昌, “X 光光電子能譜儀”, 收錄於儀器總覽6-表面分析儀器 p.5, 行政院國家科學委員會精密儀器發展中心出版 (1998).
32. 張勁燕, “電子材料”, 五南出版社 (2000).
33. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Device Lett. EDL 3, 111 (1982).
34. 高孝維, “N-型氮化鎵高熱穩定性歐姆接觸之研究”, 國立中央大學光電科學研究所碩士論文 (1999).
35. Semiconductors Group IV Elements and III-V Compounds, edited by O. Madelung (Springer, Berlin, 1991), p. 89.
36. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
37. K. Kuriyama, T. Tsunoda, N. Hayashi, and Y. Takahashi, Phys. Research B148, 432 (1999).
38. C. D. Tsai and C. T. Lee, J. Appl. Phys. 87, 4230, (2000).
39. J. D. Choi and L. T. Thompson, Appl. Surface Sci. 93, 143 (1996).
40. Y. Inoue, M. Nomiya, and O. Takai, Vacuum, 51, 673 (1998).
41. J. P. Zhang, D. Z. Sun, X. B. Li, X. L. Wang, M. Y. Kong, Y. P. Zeng, J. M. Li, and L.Y. Lin, J. Crystal Growth, 201/202, 429 (1999).
42. I. M. Band, Y. I. Kharitonov, and M. B. Trzhaskovskaya, At. Data Nucl. Data Table, 23, 443 (1979).
43. Y. Fukuda, Y. Suzuki, and N. Sanada, J. Appl. Phys. 76, 3059 (1994).
44. M. Sakata and K. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3813 (1994).
45. M. M. Hyland and G. M. Bancroft, Geochim. Cosmochin. Acta 53, 367 (1989).
46. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B17, 497 (1999).
47. 廖清賢, “氮化鎵之光電化學反應與應用”, 國立台灣大學光電工程學研究所碩士論文 (2000).
48. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
49. M. Ben-Tzur, M. Eizenberg, and J. Greenblatt, J. Appl. Phys. 69, 3907 (1991).
50. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994).
51. M. Wittmer, J. Vac. Technol. A3, 1797 (1985).
52. L. L. Smith, R. F. Davis, R-J. Liu, M. J. Kim, and R. W. Carpenter, J. Mater. Res. 14, 1032 (1999).
53. C. T. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B16, 2218 (1998).
54. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, K. J. Duxstad, E. E. Haller, Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 1556 (1996).
55. P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A. A. Caffola. G. Hughes, L. Koenders, and P. Bailey, Phys. Rev. B50, 14237 (1994).
56. H. B. Michaelson, J. Res. Dev. 22,72 (1978).
57. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
58. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys.86, 1 (1999).
59. J. D. Guo, F. M. Pan. M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chou, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996).
60. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida,Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
61. Semiconductor Surface and Interface, Ed. W. Mönch (Springer, Berlin, 1995).
62. H. Hasegawa, Y. Koyama, and T. Hashizune, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2634 (1999).
63. I. Shalish, L. Kronik, G. Segal, Y. Rosenwaks, Yoram Shapira, U. Tisch, and J. Salzman, Phys. Rev. B59, 9748 (1999).
64. P. M. Bridger, Z. Z. Bandic, E. C. Piquette, and C. T. McGill, Appl. Phys. Lett. 74, 3522 (1999).
65. M. A. Reshchikov, P. Visconti, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 78, 177 (2001).
66. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Crystal Growth, 189/190, 706 (1998).
67. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
68. A. T. Ping, A. C. Schmitz, M. Asif, I. Adesida, Electron. Lett. 32, 68 (1996).
69. E. Silkowski, G. S. Pomrenke, Y. K. Yeo, and R. L. Hengehold, Physica Scripta, T69, 276 (1997).
本人發表之文章
1. C. D. Tsai, C. H. Fu, Y. J. Lin, and C. T. Lee, Solid-State Electron. 43, 665 (1999).
2. Y. T. Lyu, K. L. Jaw, C. T. Lee, C. D. Tsai, Y. J. Lin, and Y. T. Cherng, Mater. Chem. Phys. 63, 122 (2000).
3. Y. J. Lin, C. D. Tsai, Y. T. Lyu, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 687 (2000).
4. Y. J. Lin and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3986 (2000).
5. C. D. Tsai, Y. J. Lin, D. S. Liu, and C. T. Lee, The International Society for Optical Engineering, In Optoelectronic Materials and Devices II, pp.725 (2000).
6. Y. J. Lin and C. T. Lee, 2000 International Electron Devices and Materials Symposia, pp.300 (2000).
7. Y. J. Lin, H. Y. Lee, F. T. Hwang, and C. T. Lee, J. Electron. Mater. 30, 532 (2001).
8. Y. J. Lin and C. T. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, accepted (2001).
|